时间：2025/5/28 12:25:57
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ECVAS321605C30582NBT 是一款高性能的功率 MOSFET、低损耗的应用场景设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式适合表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。
类型：MOSFET
极性：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
连续漏极电流(Id)：58A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ
栅极电荷(Qg)：49nC
总功耗(Ptot)：15W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-Leadless
ECVAS321605C30582NBT 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和出色的热性能。这使得它在高频开关应用中能够提供更高的效率并减少热量积累。
此外，其高电流承载能力 (Id = 58A) 和稳健的设计使其非常适合需要大功率处理的应用环境。芯片还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，并且能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
该器件采用无引线封装，不仅节省了空间，还提高了电气性能和散热效率。
这款 MOSFET 广泛应用于各种工业和消费类电子领域，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 汽车电子系统
- 工业控制
- 大功率负载开关
由于其优异的性能和可靠性，ECVAS321605C30582NBT 成为许多高要求应用场景的理想选择。
ECVAS321605C30582GBT
ECVAS321605C30582NCT
IRFZ44N
FDP5800
