ECN3290TF 时间：2025/9/7 18:31:55 阅读：14

ECN3290TF是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场景。ECN3290TF采用了先进的Trench沟槽工艺技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，便于在PCB上安装和散热管理。其封装结构使得它在高功率密度和高开关频率的应用中表现优异。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大漏极电流（连续）(ID)：90A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为4.5mΩ（VGS=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：约35nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

ECN3290TF的主要特性包括其极低的导通电阻，这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。由于采用了先进的Trench沟槽结构，该器件在高温下依然保持良好的性能稳定性。ECN3290TF的栅极电荷较低，有助于在高频率开关应用中减少开关损耗，提升整体能效。其TO-252封装具备良好的散热能力，适合用于紧凑型电源设计中。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发负载或瞬态条件下提供更强的可靠性。
　　ECN3290TF还具有良好的栅极氧化层稳定性，能够承受较高的栅极电压应力，提高了器件的长期工作可靠性。在同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）等应用中，该MOSFET能够提供优异的性能表现。此外，其高电流承载能力也使其适用于电机驱动和负载开关等需要大电流切换的场景。

应用

ECN3290TF广泛应用于各种高效率电源转换系统中。例如，在服务器电源、电信电源、工业电源、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统（BMS）中，该器件能够提供高效的功率控制能力。在同步整流电路中，ECN3290TF的低导通电阻特性有助于提升整体转换效率，降低发热。此外，该MOSFET也常用于电机驱动、LED照明驱动、电源管理IC（PMIC）外围电路以及各类高功率密度电源设计中。