ECN3067SLR是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件集成了两个NPN晶体管,采用共发射极配置,适用于需要高增益和高速开关的应用。ECN3067SLR采用SOT-23封装,具有体积小、功耗低、可靠性高等特点,广泛应用于模拟和数字电路中的信号放大、开关控制和驱动电路中。该器件的设计允许其在高频率下工作,适合需要高稳定性和高可靠性的工业和消费类电子产品。
类型:NPN双极型晶体管阵列
集电极-发射极电压(Vce):30V
集电极电流(Ic):100mA
功率耗散:300mW
增益(hFE):110-800(根据工作电流不同)
频率响应:100MHz(最小值)
封装类型:SOT-23
ECN3067SLR具有多个显著的电气和物理特性,使其在众多晶体管产品中脱颖而出。首先,该器件的高频率响应能力使其能够在高频放大和高速开关应用中表现出色。其次,其较高的增益范围(110-800)使得该晶体管适用于多种放大电路设计,特别是在需要多级放大的场合。此外,ECN3067SLR采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和机械强度。该器件的低饱和压降(Vce_sat)也提高了其在开关应用中的效率,降低了能量损耗。最后,其较高的工作温度范围确保了在工业级应用中的稳定性,适用于各类严苛环境下的电子设备。
ECN3067SLR主要应用于需要高性能晶体管的电子电路中。常见的应用包括音频放大器前级放大电路、逻辑电平转换电路、数字开关控制电路、继电器或LED驱动电路等。此外,由于其高频率特性,该器件也常用于射频(RF)前端放大器、无线通信模块和传感器接口电路中。在嵌入式系统和便携式设备中,ECN3067SLR可用于低功耗信号处理和驱动小型负载。其双晶体管结构还支持构建差分放大器、电流镜像电路和达林顿对管配置,广泛应用于模拟和混合信号电路设计。
BC847BS、MUN5211DW1、FMMT617