ECN30206SPR 时间：2025/9/7 17:00:11 阅读：12

ECN30206SPR是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等领域。ECN30206SPR采用SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的热管理和小型化设计，适合高密度电路布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

ECN30206SPR具有多项优异的电气和物理特性，适用于各种高性能功率应用。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。器件的最大漏极电流为6A，能够在高负载条件下稳定运行。此外，ECN30206SPR支持高达20V的栅源电压，提供良好的栅极控制能力，确保快速开关操作并减少开关损耗。
　　该MOSFET采用SOP-8封装形式，体积小巧，适合高密度PCB设计。同时，其良好的热管理性能确保在高功率运行时仍能保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。ECN30206SPR还具有出色的抗雪崩能力和高耐用性，使其能够在严苛的工作环境中稳定运行。
　　在动态性能方面，ECN30206SPR具备快速的开关响应时间，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的负担，有助于提高整体系统的能效。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，增强了系统的安全性。
　　ECN30206SPR的设计还考虑了EMI（电磁干扰）优化，通过优化内部结构和封装设计，有效减少了高频开关过程中产生的电磁噪声，提高了系统的电磁兼容性。这使得它在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中具有广泛的应用前景。