类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：110A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220
　　技术：PowerTrench?

ECN30110FS的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，提高了整体系统效率。该器件采用了安森美的PowerTrench?技术，通过优化沟槽结构和掺杂分布，实现更高的载流能力和更低的开关损耗。此外，ECN30110FS具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
　　另一个重要特性是其高耐流能力，漏极电流额定值高达110A，适合高功率密度设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，使其兼容多种驱动电路和控制器。此外，ECN30110FS具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在瞬态条件下保持稳定工作。
　　在封装方面，ECN30110FS采用标准的TO-220封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和散热片连接。该封装形式广泛用于电源模块和功率转换器中，便于PCB布局和热管理。

ECN30110FS适用于多种功率电子系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。在服务器和通信电源中，该器件用于实现高效率的直流电源转换。在电动汽车和工业自动化系统中，ECN30110FS可用于驱动高功率负载，如电动机和加热元件。此外，该MOSFET也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，提供高效的功率切换能力。其高可靠性和良好的热性能也使其适合用于汽车电子和工业控制领域的电源模块设计。

SiR340DP-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDS4410A, IPB013N04NM3 G, FDP110N30TM