时间：2025/9/6 19:22:16
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ECN040P3 是一款由 IR（International Rectifier，现为 Infineon Technologies）生产的 P 沟道功率 MOSFET。该器件专为高性能电源管理应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。ECN040P3 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及同步整流等电路中。其封装形式为 TO-220AB，便于散热并适用于多种工业标准电路板布局。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：-40V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
最大连续漏极电流 (ID)：-100A（在 Tc=25℃）
导通电阻 (RDS(on))：典型值为 4.0mΩ（在 VGS=-10V）
最大功耗 (PD)：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-220AB
ECN040P3 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，其主要特性包括低导通电阻和高电流承载能力，使其在电源转换和负载管理应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽技术，确保了在低栅极驱动电压下的高效导通性能，从而降低开关损耗并提高系统效率。此外，其高耐压能力（-40V）使其适用于多种中高功率电源系统。ECN040P3 的封装设计为 TO-220AB，具备良好的散热性能，适合在高电流和高温度环境下运行。
该器件还具有快速开关特性，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。同时，其内部结构优化了热阻，从而增强了器件在高负载条件下的稳定性。ECN040P3 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，进一步提升了其在严苛工况下的可靠性。
ECN040P3 的栅极驱动电压范围较宽（-20V 至 +20V），使其适用于多种栅极驱动电路，增强了设计的灵活性。此外，其 P 沟道特性使其在高端开关应用中特别有用，例如在同步整流和电池管理系统中。
ECN040P3 主要应用于高性能电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和同步整流电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率电源转换的理想选择。此外，由于其良好的热稳定性和抗过载能力，ECN040P3 也广泛用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源和车载电子系统中的电源管理模块。在电机控制和逆变器应用中，ECN040P3 也可作为高效开关器件使用。
IRF9540N
Si9410BDY-T1-E3
IPD90P03P4-03
