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ECH8620-TL-E 发布时间 时间:2025/9/20 16:20:31 查看 阅读:13

ECH8620-TL-E是一款由E-Chip(易芯半导体)推出的高性能、低功耗USB Type-C和PD(Power Delivery)协议控制芯片,广泛应用于支持USB-C接口的电源适配器、充电器、移动电源、车载充电器以及多端口电源管理设备中。该芯片集成了完整的USB Type-C物理层(PHY)和PD 3.0协议栈,支持双向CC引脚检测、插拔识别、角色协商(DFP/UFP/DRP)、电压电流协商(如5V/9V/12V/15V/20V)等功能,能够实现快速、安全的电源传输与设备通信。ECH8620-TL-E采用小尺寸QFN封装,适用于高集成度的便携式电子产品设计。其内置高精度电压基准和电流检测电路,配合可编程增益放大器,提升了系统在不同负载条件下的响应速度与稳定性。此外,该芯片还具备完善的保护机制,包括过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和静电防护(ESD),确保在复杂电磁环境和异常使用场景下的可靠性。

参数

品牌:E-Chip
  型号:ECH8620-TL-E
  封装类型:QFN-20
  工作电压范围:2.7V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  协议支持:USB PD 3.0, BC1.2, QC2.0/3.0(通过协商)
  最大数据速率:支持USB 2.0 Full Speed
  CC引脚耐压:20V
  集成振荡器:内置16MHz RC振荡器
  通信接口:I2C/SMBus 可配置接口
  待机电流:<50μA
  协议解码方式:硬件PD PHY + 固件状态机
  GPIO数量:2个可配置GPIO
  支持电源角色:Source, Sink, Dual-Role Power (DRP)
  支持数据角色:DFP, UFP, DRD
  VBUS开关控制:支持外接N-MOS驱动
  反馈控制方式:电压模式PWM或恒定导通时间(COT)控制

特性

ECH8620-TL-E具备高度集成的USB Type-C和PD协议处理能力,其核心优势在于将复杂的PD协议解析与电源管理逻辑集成于单一芯片中,显著降低了外部元器件数量和系统设计复杂度。芯片内部集成了完整的PD协议状态机,支持PDO(Power Data Object)的灵活配置,允许用户自定义多达7组电压输出档位,并能根据连接设备的需求自动匹配最优供电模式。其双CC引脚检测机制可精准判断线缆插入方向,并支持正反插拔自动识别,兼容各种Type-C to Type-C及Type-C to Micro USB线缆组合。
  该芯片采用动态电源管理架构,在待机或轻载状态下自动进入低功耗模式,有效延长电池供电设备的续航时间。同时,其内置的I2C主机接口允许主控MCU实时读取PD协商结果、当前电压/电流状态、故障信息等关键参数,便于实现系统级监控与智能调节。ECH8620-TL-E还支持固件在线升级(OTA),可通过专用调试接口更新协议栈以兼容未来新的PD标准扩展或修复潜在漏洞。
  在安全性方面,芯片集成了多重硬件级保护机制,包括VBUS过压锁定、CC引脚高压隔离、短路保护及热关断功能。当检测到异常事件时,芯片可迅速切断输出并进入安全状态,防止损坏后端电路或引发安全隐患。此外,其抗干扰能力强,符合IEC61000-4-2 Level 4静电防护标准,适用于工业级和消费类应用场景。开发支持方面,E-Chip提供完整的参考设计、应用笔记和配套调试工具,帮助客户快速完成产品认证与量产导入。

应用

ECH8620-TL-E广泛应用于各类需要支持USB Type-C接口和快充功能的电源产品中。典型应用包括单口或多口USB-C电源适配器,尤其是支持PD快充的手机、平板、笔记本电脑充电器;移动电源(充电宝)中用于实现双向快充功能,既可为设备充电,也可接受来自PD源的高速回充;车载充电器模块,能够在车辆点烟器供电环境下稳定运行并为移动设备提供高效充电体验。
  此外,该芯片也适用于智能家居设备、物联网网关、无线耳机充电盒、电动工具电池包等对体积和功耗敏感的产品。由于其支持双角色供电(DRP)模式,因此特别适合用于需要兼具输入与输出功能的小型储能设备或复合型电子设备接口模块。在工业领域,ECH8620-TL-E可用于工控设备的可插拔供电单元或现场调试接口,提升设备的通用性和维护便捷性。凭借其高集成度和良好的兼容性,该芯片已成为众多ODM/OEM厂商在开发新一代USB-C电源解决方案时的首选控制器之一。

替代型号

FP6606C
  IP2721T
  WT6636F
  SY6970

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ECH8620-TL-E参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A,1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C260 毫欧 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装8-ECH
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称869-1157-6