时间：2025/8/15 18:37:28
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ECG003BTRG是一款用于电力电子应用的功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，有助于提高系统效率并减少功率损耗。ECG003BTRG采用TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装工艺，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
ECG003BTRG具备优异的导通和开关性能，适用于高效率功率转换应用。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而实现更紧凑的设计。
此外，ECG003BTRG具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-252封装提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的应用场景。栅极驱动电压范围较宽（通常为±20V），使其兼容多种驱动电路设计。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，可在异常工况下提供更可靠的保护。
ECG003BTRG广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化设备。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换和大功率负载控制的理想选择。在电动汽车（EV）充电系统、储能系统和太阳能逆变器等新能源应用中也具有广泛的使用价值。
IRF1324L2TRPBF, SiR344DP-T1-GE3, FDS4410AS
