EC3A01B是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场景。EC3A01B采用先进的封装技术,具备良好的热性能和电气性能,适用于工业自动化、汽车电子、消费类电子产品等领域。该MOSFET通常用于低边开关(low-side switch)应用,具有快速开关能力和高可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):100A(在Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):最大1.2mΩ(典型值0.95mΩ)
封装形式:SMD(表面贴装)
工作温度范围:-55℃至150℃
功率耗散(PD):120W
栅极电荷(Qg):200nC(典型值)
输入电容(Ciss):2600pF(典型值)
封装尺寸:5.9mm x 6.4mm x 1.0mm
EC3A01B MOSFET具备多项优异特性,适用于高要求的功率应用。其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,特别适合高电流应用。该器件具有高耐压能力(30V漏源电压),可在高电压环境下稳定工作,确保系统安全。此外,EC3A01B的封装设计优化了热管理性能,支持高功率密度设计,适用于紧凑型电源模块和高集成度电子产品。
该MOSFET的栅极驱动特性优化,具有较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),可实现快速开关操作,减少开关损耗。其栅源电压范围为±20V,适用于多种驱动电路配置。EC3A01B还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,适用于恶劣工作环境。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于自动化生产和环保应用。
EC3A01B广泛应用于各种功率电子系统中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、服务器电源、工业自动化设备、LED照明驱动电路、汽车电子和智能电网系统等。该MOSFET特别适合高效率、高密度电源设计,可显著提升系统能效并降低散热需求。在服务器和通信设备中,EC3A01B可用于高效电源模块设计,提高系统稳定性。在汽车电子中,该器件可用于车载充电器、电机控制模块和能量管理系统。此外,该MOSFET还可用于消费类电子产品中的功率管理电路,如笔记本电脑、平板电脑和智能家电的电源控制部分。
Si7461DP, IPP060N03L G, AO4407A, IRF3710, FDS4435