器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：45A（在25°C下）
　　导通电阻（RDS(on)）：8mΩ（典型值）
　　栅极电荷（QG）：11nC（典型值）
　　输出电容（COSS）：2100pF（典型值）
　　封装形式：四方扁平无引脚封装（QFN）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

EC04-0805QFC/FV 拥有多项优异的电气和热管理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为8mΩ，使得在高电流应用中导通损耗显著降低。其次，该器件具备极低的栅极电荷（QG）和输出电容（COSS），使得开关损耗大幅减少，从而提高整体系统效率。此外，该GaN FET的封装设计优化了热性能，使其在高功率密度应用中具备良好的散热能力，确保长期稳定运行。
　　在可靠性方面，EC04-0805QFC/FV支持宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于多种工业和通信环境。它还内置了过温保护和短路保护机制，提升了器件在极端条件下的稳定性。该器件采用无铅封装，符合RoHS和REACH环保标准，适用于绿色环保的电子产品设计。
　　由于其高频开关能力和低寄生参数，EC04-0805QFC/FV非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流器、无线充电系统以及高密度电源模块。与传统硅基MOSFET相比，该GaN FET能够在相同功率等级下实现更小的尺寸和更高的效率。

EC04-0805QFC/FV 主要应用于高效率电源转换系统中。在服务器和数据中心电源系统中，该器件能够显著提高能效，降低散热需求，从而提升整体系统的可靠性和功率密度。此外，它也广泛用于电信设备的DC-DC变换器中，支持高频率工作模式，实现更小的磁性元件和更高的转换效率。
　　在消费电子领域，EC04-0805QFC/FV适用于无线充电发射器设计，其快速开关特性有助于提升能量传输效率并减少发热。同时，该器件也适用于工业自动化设备、电池管理系统、功率因数校正（PFC）电路以及高密度AC-DC电源模块。
　　由于其优异的动态性能和热稳定性，EC04-0805QFC/FV还可用于电动汽车（EV）充电系统、光伏逆变器以及储能系统等新能源应用，支持更高效、更紧凑的功率转换方案。

EPC2045、EPC2052、GS61004B