EBMS100505B601是一款由EPC(Efficient Power Conversion)公司推出的氮化镓(GaN)功率晶体管,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用GaN-on-SiC衬底技术,具有出色的导通和开关性能,适用于电源转换器、DC-DC变换器、无线充电系统、服务器电源和工业电源等应用。
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
漏源电压(VDS):100V
漏极电流(ID):50A(最大)
导通电阻(RDS(on)):6mΩ(典型值)
栅极电荷(QG):11nC
反向恢复电荷(Qrr):0nC
封装形式:四方扁平无引脚封装(BGA)
工作温度范围:-55°C至150°C
EBMS100505B601采用先进的氮化镓技术,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,使其在高频应用中表现出色。该器件具有零反向恢复电荷(Qrr),从而减少了开关损耗并提高了效率。其BGA封装形式有助于减小寄生电感,提升高频性能。此外,该器件无体二极管,适用于需要快速反向恢复的拓扑结构,如同步整流和LLC谐振转换器。由于GaN材料的宽禁带特性,该晶体管具有优异的热稳定性和更高的工作温度容忍度,适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。
该器件的栅极驱动电压范围为-3V至6V,推荐使用5V驱动电压以确保稳定运行。在设计中使用EBMS100505B601时,应特别注意PCB布局,以尽量减少寄生电感和电磁干扰(EMI)。此外,建议使用专用的GaN驱动IC以优化开关性能和系统效率。由于其高开关速度,该器件非常适合用于高频DC-DC变换器、AC-DC电源模块以及光伏逆变器等应用场合。
EBMS100505B601广泛应用于各种高效能电源系统,包括高频DC-DC变换器、服务器电源、通信电源、无线充电系统、工业电源、LED照明驱动电源以及光伏逆变器等。其出色的高频性能也使其适用于谐振变换器和软开关拓扑结构。
EPC2050, EPC2045, EPC2034