时间：2025/9/1 11:31:46
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EBMS100505B601是一款由EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的氮化镓（GaN）功率晶体管，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用GaN-on-SiC衬底技术，具有出色的导通和开关性能，适用于电源转换器、DC-DC变换器、无线充电系统、服务器电源和工业电源等应用。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：50A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：6mΩ（典型值）
栅极电荷（QG）：11nC
反向恢复电荷（Qrr）：0nC
封装形式：四方扁平无引脚封装（BGA）
工作温度范围：-55°C至150°C
EBMS100505B601采用先进的氮化镓技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，使其在高频应用中表现出色。该器件具有零反向恢复电荷（Qrr），从而减少了开关损耗并提高了效率。其BGA封装形式有助于减小寄生电感，提升高频性能。此外，该器件无体二极管，适用于需要快速反向恢复的拓扑结构，如同步整流和LLC谐振转换器。由于GaN材料的宽禁带特性，该晶体管具有优异的热稳定性和更高的工作温度容忍度，适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。
该器件的栅极驱动电压范围为-3V至6V，推荐使用5V驱动电压以确保稳定运行。在设计中使用EBMS100505B601时，应特别注意PCB布局，以尽量减少寄生电感和电磁干扰（EMI）。此外，建议使用专用的GaN驱动IC以优化开关性能和系统效率。由于其高开关速度，该器件非常适合用于高频DC-DC变换器、AC-DC电源模块以及光伏逆变器等应用场合。
EBMS100505B601广泛应用于各种高效能电源系统，包括高频DC-DC变换器、服务器电源、通信电源、无线充电系统、工业电源、LED照明驱动电源以及光伏逆变器等。其出色的高频性能也使其适用于谐振变换器和软开关拓扑结构。
EPC2050, EPC2045, EPC2034
