时间：2025/6/30 12:26:16
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EBLC12C-LF-T7 是一款高性能、低功耗的逻辑电平 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，使其非常适合用于电源管理、负载切换和功率转换等应用。其封装形式为 SOT-23，适用于高密度电路板设计，同时支持无铅环保要求，符合 RoHS 标准。
该 MOSFET 的设计旨在优化效率和散热性能，其栅极驱动电压范围兼容标准 CMOS 和 TTL 逻辑电平，简化了系统设计并提高了可靠性。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.6A
导通电阻(Rds(on))：120mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗(Ptot)：420mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
EBLC12C-LF-T7 具有出色的电气特性和机械稳定性，以下是其主要特性：
1. 极低损耗。
2. 快速开关能力使其能够适应高频应用场景。
3. 小型化的 SOT-23 封装适合紧凑型设计，节省 PCB 空间。
4. 宽泛的工作温度范围保证了其在极端环境下的可靠性。
5. 与标准逻辑电平兼容，无需额外的驱动电路。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保设计需求。
该 MOSFET 广泛应用于各类电子设备中，典型应用包括：
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. USB 充电器及便携式电源适配器中的同步整流。
3. 工业控制系统的信号切换。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. LED 驱动器中的电流调节。
6. 各类 DC/DC 转换器中的功率开关元件。
AO3400A
FDC6550N
SI2302DS
