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EBLC08C 发布时间 时间:2025/6/5 17:35:30 查看 阅读:8

EBLC08C是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著提升系统的整体性能。
  该器件采用了逻辑电平驱动设计,适用于多种电压范围的应用场景。其封装形式多样,便于在不同电路中集成使用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:4.5mΩ
  总功耗:17W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-220

特性

EBLC08C具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频应用,减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的可靠性。
  4. 内置反向恢复二极管,优化同步整流应用中的表现。
  5. 支持逻辑电平驱动,简化了驱动电路设计,降低了驱动功耗。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应各种严苛环境下的使用需求。

应用

EBLC08C适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 消费类电子产品中的电源管理
  6. LED照明驱动电路
  7. 充电器与适配器解决方案

替代型号

IRLZ44N
  AO3400
  FDP5800

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