EA2803QJ-T 是一款由 Everspin Technologies 设计制造的非易失性存储器芯片,具体属于 MRAM(Magnetoresistive Random-Access Memory,磁阻式随机存取存储器)类别。这款芯片具备高速读写能力、无限次读写耐久性以及掉电后数据不丢失的特点,适用于需要高性能和高可靠性的应用场景。EA2803QJ-T 采用 8 引脚 TSSOP 封装,是一款 3V 供电的串行接口 MRAM 存储器。
容量:32Kbit
接口类型:SPI
工作电压:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:8 引脚 TSSOP
读写速度:最高支持 40MHz SPI 时钟频率
数据保存时间:超过 20 年
写入耐久性:无限次(非磨损机制)
访问时间:高速随机访问
EA2803QJ-T MRAM 芯片的核心优势在于其非易失性和卓越的读写性能。与传统 Flash 存储器相比,它无需预擦除即可写入,极大地提升了写入效率,并且没有写入寿命限制,适合频繁写入的应用场景。
该芯片内置 SPI 接口,与主流微控制器兼容,便于系统集成。其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,适用于多种电源环境,包括电池供电系统。此外,芯片在极端温度条件下(-40°C 至 +85°C)依然能够稳定工作,适用于工业和汽车电子等严苛环境。
MRAM 技术的另一大优点是其抗辐射能力较强,适合航空航天、军工等对数据可靠性要求极高的领域。EA2803QJ-T 还具备低功耗特性,在待机模式下功耗极低,有助于延长设备的电池寿命。
数据保存时间超过 20 年,即使在没有电源的情况下也能保证数据不丢失,这一点优于传统 SRAM 和 DRAM。同时,其读写操作不会造成存储单元的磨损,因此无需复杂的磨损均衡算法。
EA2803QJ-T 被广泛应用于工业自动化设备、汽车控制系统、智能仪表、医疗电子设备、安防系统、数据采集系统以及航空航天和军事电子系统等对数据存储速度和可靠性要求较高的领域。
在工业控制中,该芯片可作为高速缓存或非易失性数据记录器,用于存储运行参数、故障日志或实时采集的数据。在汽车电子中,它可以用于记录安全相关数据,如碰撞信息或车辆状态日志,确保即使在电源中断时数据也不会丢失。
医疗设备中,EA2803QJ-T 可用于存储患者治疗数据、设备校准参数或实时监测记录,确保数据的完整性与快速访问能力。在安防系统中,它可作为临时存储器,用于保存关键的视频或事件触发信息。
航空航天和军工领域则利用其抗辐射、宽温工作和高可靠性的特点,应用于飞行记录仪、导航系统、雷达设备等关键系统中。
MR45V040AHSB12, nvSRAM:Cypress Semiconductor CY14B104Q-SX, FRAM:Cypress FM25V02A