E720AXF 时间：2025/8/5 5:46:46 阅读：13

E720AXF 是一款由 EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的增强型氮化镓场效应晶体管（Enhancement-Mode Gallium Nitride Field-Effect Transistor，简称 eGaN FET）。该器件基于氮化镓（GaN）半导体材料，具备低导通电阻、高开关速度以及高效率等优点，适用于高频、高效率的电力电子转换系统，例如DC-DC转换器、同步整流器和无线充电系统等。E720AXF 采用 12mm x 12mm 的高级封装技术，具备良好的热管理和电气性能，适用于需要高功率密度和高效能的应用场景。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　连续漏极电流（ID）：30 A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.2 mΩ
　　封装类型：表面贴装，12mm x 12mm
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电荷（QG）：10 nC
　　漏源电容（Coss）：300 pF
　　热阻（RθJC）：0.45 °C/W

特性

E720AXF 具备多项优异的电气和热性能，首先，其采用氮化镓半导体材料，相较于传统硅基MOSFET，具备更低的导通电阻和更高的电子迁移率，从而实现更高的开关频率和更低的开关损耗。
　　其次，该器件的导通电阻仅为 7.2 mΩ，能够有效降低导通损耗，提高整体系统的能效。
　　此外，E720AXF 的栅极电荷（QG）较低，有助于减少驱动损耗，使其更适合高频应用。
　　其封装设计优化了热管理性能，热阻（RθJC）为 0.45 °C/W，确保在高电流工作条件下仍能维持较低的工作温度，提高可靠性和寿命。
　　最后，E720AXF 支持宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适应多种复杂的工作环境，适用于工业、通信、汽车电子等领域。

应用

E720AXF 主要应用于需要高频、高效率和高功率密度的电力电子系统。例如，它适用于高效率的DC-DC转换器，特别是在服务器电源、电信电源和分布式电源架构中。
　　此外，该器件也适合用于同步整流电路，提高转换效率并减少散热需求。
　　在无线充电系统中，E720AXF 的高开关频率特性能够有效减少磁性元件的体积，提高系统的整体功率密度。
　　同时，它也可用于高频率谐振转换器（如LLC和CLLC拓扑），实现零电压开关（ZVS）以进一步降低开关损耗。
　　由于其优异的热管理和高可靠性，E720AXF 也适合用于电动汽车充电模块、储能系统以及工业自动化设备中的高效电源管理模块。