E699AHJ 时间：2025/8/5 6:17:05 阅读：25

E699AHJ 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能功率转换和控制的电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。E699AHJ 适用于多种应用场景，包括但不限于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、电池充电器以及各种高功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为5.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

E699AHJ MOSFET采用了东芝先进的U-MOS技术，具有极低的导通电阻，从而实现了高效的功率转换。该器件的高电流容量和低开关损耗使其在高频开关应用中表现出色，适用于要求苛刻的工业和汽车应用。其封装设计有利于散热，提高了器件在高功率操作下的可靠性。
　　此外，E699AHJ具备良好的热稳定性和过热保护功能，能够在高温环境下稳定运行，减少了系统故障的风险。其栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的电路设计，并且具备较强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能稳定工作。
　　该MOSFET的快速开关特性使其在高性能电源转换系统中表现优异，如同步整流、高频DC-DC转换器和电机控制电路。同时，其低导通损耗和开关损耗有助于提高整体系统效率，减少热量产生，延长设备的使用寿命。