E648BPJ 时间：2025/8/4 17:02:58 阅读：32

E648BPJ 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的绝缘栅双极晶体管（IGBT），主要用于高功率应用，如逆变器、电机控制和电源系统。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，使其在高电压和高电流环境下表现出色。E648BPJ采用先进的制造工艺，确保了高可靠性和高效能，适用于工业自动化、汽车电子和可再生能源系统等关键领域。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：600V
　　最大集电极电流（Ic）：40A
　　导通压降（Vce_sat）：典型值为2.1V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　短路耐受能力：有
　　栅极电荷（Qg）：典型值为130nC
　　输入电容（Cies）：典型值为1900pF

特性

E648BPJ具备多项优异特性，适用于高功率和高性能要求的应用场景。首先，其最大集电极-发射极电压可达600V，能够支持高压系统设计，同时最大集电极电流为40A，满足大功率负载需求。导通压降仅为2.1V，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和可再生能源系统等苛刻应用。E648BPJ还具备良好的短路耐受能力，提升了系统在异常工况下的可靠性和安全性。
　　此外，E648BPJ采用了TO-247封装形式，具备良好的散热性能，确保在高功率应用中保持较低的温升。其栅极电荷（Qg）为130nC，输入电容（Cies）为1900pF，使得开关速度较快，减少了开关损耗，从而提高了整体系统的响应速度和效率。这些特性使得E648BPJ在电机驱动、电源转换和逆变器等应用中表现出色，成为高性能功率电子系统的重要组成部分。