类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4.5V~6.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：双面散热封装（如TO-247或定制封装）
　　短路耐受能力：具备
　　隔离电压：2500Vrms（模块与散热片之间）

E4D20120A 的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达1200V，这使得该模块能够在高电压环境下稳定工作，适用于高压电源转换系统。此外，其导通电阻仅为17mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。模块内部采用先进的硅片技术和优化的封装结构，确保在高电流负载下仍能保持较低的温升，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该模块还具备良好的短路耐受能力，可以在极端条件下提供更高的安全性，防止因过载或短路导致的损坏。其栅极阈值电压范围为4.5V~6.5V，兼容常见的驱动电路设计，便于用户进行系统集成。E4D20120A 的封装设计支持双面散热，能够更有效地将热量传导至散热器，从而提升散热效率，特别适用于高功率密度应用。
　　在工作温度方面，E4D20120A 支持从-55°C到150°C的宽范围工作温度，适用于各种严苛环境条件，包括工业级和汽车级应用。此外，模块具备2500Vrms的隔离电压能力，确保了模块与散热片之间的电气隔离，提高了系统的安全性和稳定性。

E4D20120A 广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其适合工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器以及可再生能源系统如太阳能逆变器等。其高电压、大电流能力和低导通电阻使其成为高效功率转换系统的理想选择。在工业自动化领域，该模块可用于高性能伺服驱动器和变频器，以实现对电机的精确控制。此外，E4D20120A 还可用于电动汽车的充电系统和车载电源转换器，支持快速充电和高效的能量管理。在新能源领域，该模块也可用于风力发电和储能系统的功率转换环节，提供稳定可靠的电力输出。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，E4D20120A 在数据中心的电源系统中也有广泛应用，能够有效支持服务器和网络设备的高效率供电需求。此外，在焊接设备、感应加热系统和高频电源供应器中，该模块也能提供优异的性能表现。

SKM200GB12T4ag, FF200R12KT4