E4707ABG 时间：2025/8/5 3:16:20 阅读：16

E4707ABG 是一款由 Efficient Power Conversion（简称 EPC）生产的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这款器件是专为高性能电力电子应用而设计，采用了先进的氮化镓半导体技术，相较于传统硅基MOSFET，E4707ABG在开关速度、效率和功率密度方面具有显著优势。该器件采用无引线芯片级封装（Chip-Scale Package，CSP），尺寸紧凑，适合高密度功率转换器设计。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ
　　栅极电荷（QG）：4.2nC
　　输入电容（Ciss）：610pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：芯片级封装（CSP）
　　功率耗散：3.5W

特性

E4707ABG 采用先进的氮化镓（GaN）技术，具备极低的导通电阻和极快的开关速度，从而显著降低了开关损耗和导通损耗，提高了整体系统效率。
　　其栅极结构设计为增强型（常关型），无需负电压驱动，简化了驱动电路设计，提高了系统可靠性。
　　此外，该器件采用无引线芯片级封装（CSP），极大地减小了封装寄生电感，提高了高频工作的稳定性，适合用于高频率开关应用。
　　E4707ABG 的热性能优越，能够在高温环境下稳定工作，适用于诸如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和无线充电系统等高功率密度应用场合。
　　由于其低电容和快速开关特性，该器件在软开关和硬开关拓扑中均表现出色，适用于LLC谐振转换器、图腾柱PFC（功率因数校正）电路等先进电源架构。

应用

E4707ABG 主要应用于需要高效能和高功率密度的现代电力电子系统中。例如，它广泛用于高效率DC-DC转换器、服务器电源、电信整流器、电池充电器、光伏逆变器、电机驱动系统以及高频无线充电设备等。
　　特别是在图腾柱PFC和LLC谐振转换器等拓扑结构中，E4707ABG 能够显著提升转换效率并减少散热需求，有助于实现更小、更轻、更高效的电源系统设计。
　　此外，该器件的高频特性使其成为无线功率传输应用中的理想选择，能够支持更高的能量传输效率和更小的磁性元件尺寸，从而实现紧凑型设计。