E38NA50 时间：2025/7/22 6:26:32 阅读：9

E38NA50 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力。E38NA50的额定电压为500V，最大连续漏极电流可达38A，适用于电源、电机控制、照明系统以及工业自动化设备等高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：38A @ TC=100℃
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻(Rds(on))：约0.095Ω（典型值）

特性

E38NA50 MOSFET具有多个关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高电压输入的电源转换系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，E38NA50采用了先进的平面工艺和高密度单元设计，确保了良好的热性能和稳定性，能够在高负载条件下稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在高能量开关环境中的可靠性。
　　TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要良好热管理的电路设计。同时，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制电路的兼容性，便于设计和集成。

应用

E38NA50广泛应用于各种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器以及照明控制系统等。其高耐压和大电流能力使其成为工业控制设备、家用电器、UPS不间断电源和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的理想选择。
　　在电源设计中，E38NA50可用于主开关元件，实现高效的能量转换；在电机控制中，可用于H桥结构实现电机的正反转控制；在LED照明系统中，可用于高功率LED驱动电路中的开关元件，提升能效并减少发热。
　　此外，该MOSFET也可用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的高电压开关控制，确保系统在高压环境下的安全稳定运行。