E38NA50 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用TO-220封装,具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力。E38NA50的额定电压为500V,最大连续漏极电流可达38A,适用于电源、电机控制、照明系统以及工业自动化设备等高功率应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):38A @ TC=100℃
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220
导通电阻(Rds(on)):约0.095Ω(典型值)
E38NA50 MOSFET具有多个关键特性,使其在高压功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(500V)使其适用于多种高电压输入的电源转换系统。其次,低导通电阻(Rds(on))减少了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统的效率。
此外,E38NA50采用了先进的平面工艺和高密度单元设计,确保了良好的热性能和稳定性,能够在高负载条件下稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力,增强了在高能量开关环境中的可靠性。
TO-220封装提供了良好的散热性能,适用于需要良好热管理的电路设计。同时,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持与多种控制电路的兼容性,便于设计和集成。
E38NA50广泛应用于各种电力电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器以及照明控制系统等。其高耐压和大电流能力使其成为工业控制设备、家用电器、UPS不间断电源和可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的理想选择。
在电源设计中,E38NA50可用于主开关元件,实现高效的能量转换;在电机控制中,可用于H桥结构实现电机的正反转控制;在LED照明系统中,可用于高功率LED驱动电路中的开关元件,提升能效并减少发热。
此外,该MOSFET也可用于电池管理系统(BMS)和储能系统中的高电压开关控制,确保系统在高压环境下的安全稳定运行。
IRFNA50、FQA38N50、2SK2141、STF38NA50、FDP38NA50