E302DN 时间：2025/8/6 15:36:45 阅读：12

E302DN 是一款由美国公司 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率的电源管理和功率转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统以及电机控制电路等。E302DN 采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和高电流承载能力，适用于中高功率场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：200V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id @ 25°C：30A
　　脉冲漏极电流 Idm：120A
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs=10V：85mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散 Pd：200W

特性

E302DN MOSFET 具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（200V Vds）使其适用于多种高压应用环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，同时具备良好的抗过压和抗静电能力。在高温环境下仍能保持稳定工作，适合工业级应用需求。
　　E302DN 还具备快速开关特性，能够适应高频开关操作，适用于高频率 DC-DC 转换器和逆变器系统。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。
　　此外，该器件具有低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗和提高响应速度，从而在高频应用中表现优异。E302DN 还具备良好的短路耐受能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。

应用

E302DN 主要应用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）等。
　　它也广泛用于电机控制、电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备中，作为高效的功率开关元件。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器、风能控制系统中，E302DN 可用于功率调节和能量转换环节。此外，该器件也适用于LED照明驱动电路、电焊机、感应加热装置等需要高效能功率控制的场合。
　　由于其高可靠性和热稳定性，E302DN 也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、启动电机控制器和电池管理系统等。