E28F400B5T80 时间：2025/10/29 19:04:07 阅读：18

E28F400B5T80是英特尔（Intel）公司推出的一款并行接口的闪存（Flash Memory）芯片，属于Intel StrataFlash技术系列中的早期产品。该芯片采用48引脚TSOP封装形式，具有4M字节（32兆位）的存储容量，组织方式为按字节寻址，适用于需要非易失性存储的嵌入式系统和工业控制设备。作为一款基于NOR Flash技术的存储器，E28F400B5T80支持快速随机访问，具备良好的读取性能，适合用于代码存储和执行（XIP, eXecute In Place），广泛应用于通信设备、网络路由器、工业自动化控制器以及老式消费电子产品中。尽管该型号已逐步被新型号取代，但在一些维护项目或旧设备替换中仍具使用价值。Intel对该系列产品的技术支持虽已部分归入停产状态，但其可靠性和稳定性在长期应用中得到了验证。该芯片工作电压为3.0V至3.6V，支持标准的CMOS逻辑电平，兼容大多数微处理器和微控制器的接口要求。此外，E28F400B5T80具备块擦除功能，允许用户对特定区域进行更新而不会影响其他数据，提升了系统维护的灵活性。

参数

品牌：Intel
　　类型：NOR Flash
　　容量：32 Mbit
　　组织结构：4MB x 8
　　封装：48-TSOP
　　接口类型：并行
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　最大时钟频率：80MHz
　　读取访问时间：80ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵提供
　　擦除方式：扇区/整片擦除
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　供电要求：单电源供电

特性

E28F400B5T80具备多项关键技术特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，其采用Intel的StrataFlash技术，支持多层存储单元设计，能够在单一存储单元中存储多个比特信息，从而提高存储密度并降低成本。虽然该型号实际配置为传统单比特NOR架构，但其底层工艺继承自StrataFlash平台，具备更高的可靠性和耐久性。其次，该芯片支持快速读取操作，典型访问时间为80ns，能够满足多数实时系统对代码执行速度的要求，尤其适用于需要直接从Flash运行程序的应用场景。此外，E28F400B5T80内置电荷泵电路，可在标准I/O电压下完成编程和擦除操作，无需外部高压电源，简化了系统电源设计。
　　该器件还提供灵活的擦除机制，支持按扇区或整片擦除，便于固件升级和数据管理。每个扇区大小通常为64KB或8KB，允许精细控制更新范围，减少不必要的擦除周期，延长器件寿命。在数据保持方面，E28F400B5T80保证在常温下数据可保存长达10年，并支持至少10万次的擦写循环，适用于频繁更新的工业环境。安全性方面，芯片配备硬件写保护引脚（WP#），防止意外写入或擦除，提升系统稳定性。同时，它支持多种低功耗模式，包括待机和深度掉电模式，有助于降低整体系统能耗，延长电池供电设备的工作时间。最后，其48-TSOP封装体积适中，便于PCB布局与焊接，适合批量生产。这些特性共同构成了E28F400B5T80在当时市场中的竞争优势。

应用

E28F400B5T80主要应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置参数。在工业控制领域，该芯片常被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，承担固件存储任务，确保设备在断电后仍能保留关键程序。此外，在医疗仪器、测试测量设备和POS终端等商用设备中，E28F400B5T80也因其稳定性和耐用性而被广泛采用。由于其支持XIP（就地执行）功能，CPU可以直接从Flash中读取指令并执行，无需将代码加载到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。这一特性特别适合资源受限的嵌入式微控制器系统。另外，在汽车电子模块中，例如车身控制模块（BCM）或车载信息娱乐系统的早期版本中，也曾使用此类Flash芯片进行程序存储。尽管当前主流设计已转向更高密度或串行接口方案，但在设备维修、备件替换和老旧系统维护中，E28F400B5T80仍然具有不可替代的作用。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于恶劣环境下的长期运行。