型号：E28F200B5T90
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：2 Mbit (256 K × 8 bits)
　　接口类型：并行
　　供电电压：5V ± 10%
　　读取访问时间：90ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装形式：44-pin TSOP Type II 或 48-ball FBGA
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需额外高压电源
　　写入/擦除耐久性：典型值为10万次循环
　　数据保持时间：大于10年
　　输出电平：兼容TTL
　　组织结构：按字节寻址

E28F200B5T90具备多项关键特性，使其成为当时嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案之一。首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash技术和多级单元（MLC）架构的早期实现方式，虽然在E28F200B5T90上主要体现为单层存储（SLC），但其底层技术为后续更高密度产品的开发奠定了基础。这种结构不仅提高了存储密度，还优化了单位比特的成本。其次，芯片内置了高效的命令集控制系统，支持标准的JEDEC指令协议，如读取、编程、块擦除和全局擦除等功能，用户可以通过简单的写入特定地址序列来执行相应操作，极大简化了软件驱动的开发难度。
　　此外，E28F200B5T90集成了内部电荷泵电路，能够在编程和擦除过程中自动生成所需的高压，从而避免外部提供高电压电源，降低了系统设计复杂度并提升了安全性。该器件支持按块进行擦除操作，每个块大小为64KB，允许灵活管理存储区域，特别适用于需要频繁更新部分固件而保留其他数据不变的应用场景。其90纳秒的快速读取访问时间确保了在CPU直接从闪存运行代码（XIP, eXecute In Place）时具备良好的性能表现。
　　为了提高系统的可靠性，该芯片具备较强的抗干扰能力和环境适应性，工作温度范围覆盖商用级标准（0°C 至 +70°C），满足大多数室内工业设备的需求。同时，它具有良好的数据保持能力，在正常条件下可保证超过10年的数据完整性，并支持至少10万次的写入/擦除周期，远高于一般EEPROM器件的寿命指标。E28F200B5T90还支持硬件复位功能，通过RESET引脚可使器件恢复到只读状态，防止异常操作导致误写。总体而言，这些特性共同构成了一个稳定、高效且易于集成的非易失性存储方案，适用于对可靠性要求较高的嵌入式控制系统。

E28F200B5T90广泛应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。典型用途包括工业控制设备中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），在这些系统中，该芯片用于存放启动代码、操作系统镜像或应用程序逻辑，支持系统上电后快速加载执行。由于其支持XIP（就地执行）功能，CPU可以直接从闪存中读取并执行指令，无需将代码复制到RAM，节省了内存资源并加快了启动速度。
　　另一个重要应用领域是通信基础设施设备，如路由器、交换机和基站控制模块。在这些设备中，E28F200B5T90常被用来存储BIOS或Bootloader程序，负责初始化硬件并加载主操作系统。其高可靠性和长期数据保持能力确保了即使在长时间断电后也能正确引导系统。此外，在消费类电子产品中，如老式数码相机、打印机和POS终端，该芯片也用于保存设备配置参数、校准数据和本地化语言资源。
　　在汽车电子方面，尽管E28F200B5T90本身为商用级温度范围，但在一些非关键性的车载信息娱乐系统或辅助控制模块中也有应用实例。特别是在第二代车载诊断系统（OBD-II）相关的检测工具中，该芯片用于存储诊断协议栈和车辆识别数据库。此外，医疗设备中的便携式监测仪器也曾采用此类器件进行固件存储，前提是工作环境温度可控。总之，凡是需要低成本、中等容量、高可靠性的只读程序存储场合，E28F200B5T90都曾是一个主流选择。随着技术进步，许多新设计已转向更小封装、更低功耗和更高密度的串行NOR Flash，但在维护和替换原有系统时，了解其应用场景仍具有重要意义。