E28F200B5B60 时间：2025/10/29 13:57:10 阅读：17

E28F200B5B60是英特尔（Intel）公司生产的一款并行接口的闪存（Flash Memory）芯片，属于Intel StrataFlash Embedded Memory系列中的高性能产品。该芯片采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中存储多位数据，从而在不增加芯片物理尺寸的情况下显著提升存储密度。E28F200B5B60具备256兆位（32MB）的存储容量，组织为128个扇区，每个扇区大小为64KB，支持按扇区或块进行擦除操作，并支持字节和字级别的编程。该器件主要面向嵌入式系统应用，适用于需要高可靠性、非易失性存储解决方案的工业控制、网络设备、通信基础设施和消费类电子产品。其设计兼顾性能与耐久性，支持完整的读/写/擦除操作命令集，并兼容通用的JEDEC标准接口，便于系统集成和软件开发。此外，该芯片工作电压通常为3.0V至3.6V，支持低功耗模式，适合对功耗敏感的应用场景。由于其推出时间较早，目前在市场上已逐步被更先进的NOR Flash或串行Flash产品替代，但在一些遗留系统或工业设备中仍具有一定的使用价值。

参数

品牌：Intel
　　型号：E28F200B5B60
　　存储容量：256 Mbit
　　存储类型：NOR Flash
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　接口类型：并行
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP56
　　读取访问时间：70ns
　　编程电压：12V（Vpp）
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　数据保持时间：10年
　　擦写寿命：100,000次

特性

E28F200B5B60具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，其采用的StrataFlash技术允许在单个存储单元中存储多个数据位，提升了存储密度并降低了单位比特成本，同时保持了NOR Flash的快速随机访问能力。这种架构特别适合需要频繁读取代码的应用，如嵌入式固件存储。该芯片支持全电压范围内的可靠读写操作，且内置高压电荷泵，可在内部生成编程所需的电压，减少了对外部高电压电源的需求，简化了系统电源设计。
　　其次，该器件具备高度的耐用性和数据保持能力，标称擦写次数可达10万次以上，数据可保存长达10年，满足工业级应用的严苛要求。其支持硬件写保护功能，防止因意外写入或断电导致的数据损坏，增强了系统的稳定性与安全性。此外，E28F200B5B60兼容Common Flash Interface (CFI)，允许系统通过标准查询指令获取芯片的物理和电气特性，极大地方便了固件开发和多厂商器件替换。
　　在性能方面，该芯片提供70ns的快速读取访问时间，能够直接执行代码（XIP, eXecute In Place），无需将程序加载到RAM中，有效节省系统资源。其并行接口支持8位或16位数据总线模式，灵活适应不同处理器架构。芯片还集成了状态轮询机制和Toggle Bit功能，用于监测编程和擦除操作的完成状态，提升系统响应效率。整体而言，E28F200B5B60在性能、可靠性与兼容性之间实现了良好平衡，是一款经典的嵌入式闪存解决方案。

应用

E28F200B5B60广泛应用于各类需要高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和防火墙等通信设备，用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。其快速读取能力和XIP特性使得系统可以在上电后迅速启动，减少等待时间。在工业自动化领域，该芯片常用于PLC控制器、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），用于保存控制逻辑、参数设置和固件更新。此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等对数据完整性要求较高的设备中，E28F200B5B60也发挥着重要作用。
　　由于其具备宽温工作范围（-40°C至+85°C），该芯片适用于恶劣环境下的户外或工业现场设备。在消费类电子产品中，也曾用于早期的数字电视、机顶盒和多媒体播放器中存储系统软件。尽管随着SPI NOR Flash和eMMC等新型存储技术的发展，E28F200B5B60的市场份额逐渐缩小，但在一些长期服役的工业控制系统和维护周期较长的设备中，仍然存在需求。此外，由于其引脚定义和命令集符合行业标准，便于在现有设计中进行维护和替换，因此在系统升级或备件采购时仍具有一定价值。