时间：2025/12/26 16:38:09
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E28F16M3B250是英特尔（Intel）推出的一款16兆位（2MB）的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash架构系列。该器件采用先进的多层存储技术，能够在每个存储单元中存储多个比特的信息，从而在不增加芯片物理尺寸的情况下显著提高存储密度。E28F16M3B250支持两种工作模式：x8和x16模式，允许用户根据系统需求灵活配置数据总线宽度，适用于多种嵌入式应用场景。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、网络基础设施以及需要可靠非易失性存储的场合。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB上进行布局和焊接。由于其出色的性能与可靠性，E28F16M3B250曾在电信交换设备、路由器、基站控制器等领域得到广泛应用。尽管该产品已逐步进入停产阶段，但在许多遗留系统和长期运行的工业设备中仍可发现其踪迹。作为一款成熟的老型号闪存芯片，它具备良好的兼容性和稳定性，适合对升级频率要求不高的应用环境。此外，该芯片支持标准JEDEC接口规范，方便与其他微处理器或控制器连接使用。
制造商：Intel
产品系列：StrataFlash
存储容量：16 Mbit (2 MB)
架构类型：NOR Flash
接口类型：并行
供电电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-48
读取访问时间：250ns
编程/擦除电压：内部电荷泵提供
字节/字模式支持：支持 x8 和 x16 模式
擦除区块大小：可变区块结构
写保护功能：硬件 WP 引脚支持
待机电流：典型值低于 1μA
编程电流：典型值约 20mA
封装尺寸：标准 TSOP 尺寸，适用于表面贴装
E28F16M3B250采用Intel专有的StrataFlash技术，这种技术结合了NOR Flash的快速随机访问能力和更高的存储密度优势，使得该芯片在保持高性能的同时实现了成本效益的优化。其核心特性之一是支持多电平单元（MLC）技术，允许每个存储单元存储两位数据，从而将存储密度提升一倍，相较于传统的单层单元（SLC）NOR Flash更具空间效率。
该芯片具备低功耗设计特点，尤其在待机和休眠模式下功耗极低，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。其内部集成电荷泵电路，能够在编程和擦除操作期间自动生成所需的高压，无需外部提供高电压信号，简化了电源设计并提高了系统的安全性。
E28F16M3B250支持块锁定（Block Locking）功能，允许用户通过软件命令对特定地址区域进行写保护，防止意外修改关键代码或配置数据，增强系统可靠性。同时，它还支持全局解锁和批量擦除功能，便于固件更新和系统维护。
在可靠性方面，该器件具有高耐久性，典型的擦写周期可达10万次以上，并且数据保存时间长达10年以上，满足工业级应用的长期稳定运行需求。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适用于严苛环境下的部署。
此外，E28F16M3B250兼容标准的JEDEC命令集，支持Common Flash Interface (CFI) 查询功能，使主机系统能够动态获取芯片的参数信息（如厂商ID、设备ID、块结构、电压要求等），从而实现通用驱动程序的支持，提升系统兼容性和开发效率。
E28F16M3B250主要用于需要中等容量、高可靠性和快速启动能力的嵌入式系统中。典型应用包括网络通信设备如路由器、交换机和DSL调制解调器，在这些设备中用于存储引导代码（Boot Code）、操作系统映像和配置参数。其快速随机读取能力确保了系统上电后能迅速加载启动程序，缩短启动时间。
在工业自动化领域，该芯片被广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，用于固化控制程序和保存校准数据。由于其宽温特性和抗干扰能力强，能够在工厂车间等电磁环境复杂的场所稳定运行。
此外，E28F16M3B250也常见于电信基础设施设备，例如基站控制器、接入网关和数字交叉连接系统，承担固件存储任务。其支持的硬件写保护功能可有效防止现场运行时因误操作导致的程序损坏。
在医疗电子设备中，该芯片可用于存储诊断程序、设备设置和安全认证信息，满足医疗行业对数据完整性和可靠性的严格要求。
尽管目前已有更先进的串行NOR Flash和SPI Flash替代方案出现，但由于E28F16M3B250具备成熟的生态系统和广泛的第三方支持，仍在许多生命周期较长的产品中继续服役。
S29GL016M
S29GL256P
MT28EW016DA
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