型号：E28F020120
　　制造商：Intel
　　存储容量：16 Mbit (2M x 8)
　　存储类型：NOR Flash
　　电源电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装形式：44-pin PLCC 或 44-pin TSOP
　　访问时间：90 ns / 120 ns（根据不同速度等级）
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　擦除方式：按扇区（Sector）或整片（Bulk）擦除
　　扇区大小：32 KB（主扇区）+ 多个8 KB小扇区（具体结构依版本而定）
　　写入/擦除耐久性：典型10万次擦写周期
　　数据保持时间：大于10年
　　接口类型：并行异步接口（x8位）
　　待机电流：典型值为20 μA
　　工作电流：典型值为30 mA（读取模式）

E28F020120具备多项关键技术特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它采用单5V供电设计，内部集成了电荷泵电路，能够在编程和擦除操作时自动生成所需的高电压，无需外部提供额外的VPP编程电压，极大简化了系统电源设计，降低了硬件复杂度。其次，该芯片支持灵活的扇区架构，允许用户对特定区域进行独立擦除和编程，避免了整片擦除带来的不便，特别适合需要频繁更新部分数据同时保护其余内容的应用场景。其90ns的快速访问时间确保了高效的指令执行能力，适用于直接从闪存运行代码（XIP, eXecute In Place）的系统。此外，E28F020120具备硬件和软件数据保护机制，防止因误操作或异常掉电导致的关键数据损坏。例如，通过状态寄存器轮询可检测编程/擦除操作的完成状态，并支持软件命令序列锁定特定扇区。该器件还具备较高的抗干扰能力和宽温工作选项，可在工业级温度范围内稳定运行，适用于严苛的工业环境。其并行接口兼容JEDEC标准，易于与微处理器、微控制器或DSP无缝连接。最后，该芯片具有出色的耐久性和数据保持能力，支持至少10万次的擦写循环，并能保证十年以上的数据保存，满足长期运行系统的可靠性需求。
　　E28F020120还具备良好的兼容性和可替换性，引脚定义和时序符合行业通用规范，便于系统升级或维护。尽管该型号已逐步进入停产阶段，但其技术规格成为后续NOR Flash设计的重要参考。此外，该芯片支持多种封装形式，适应不同PCB布局需求，且具备较强的抗静电（ESD）能力和可靠性测试认证，确保在批量生产和长期使用中的稳定性。由于其成熟的工艺和经过验证的可靠性，E28F020120在航空航天、医疗设备、通信基础设施等对安全性要求极高的领域仍有应用。

E28F020120主要应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的固件存储，用于保存PLC的启动程序和配置参数；在网络设备如路由器、交换机和防火墙中，作为Boot ROM存储引导加载程序（Bootloader），确保设备上电后能够正确初始化操作系统；在老式PC和工控机中，常用于存放BIOS代码，支持系统自检和硬件初始化。此外，该芯片也广泛用于通信基站、电话交换设备和远程终端单元（RTU），因其具备良好的温度适应性和长期数据保持能力。在医疗仪器中，E28F020120可用于存储校准数据和设备固件，确保关键信息在断电后不丢失。测试测量设备如示波器、逻辑分析仪等也采用此类闪存来保存用户设置和系统程序。由于其支持XIP（就地执行）模式，CPU可直接从该芯片读取并执行指令，无需将代码复制到RAM，从而节省系统资源并提升启动效率。在军事和航空航天领域，部分经过筛选的工业级或扩展级版本也被用于任务关键型系统中。尽管新型串行闪存（如SPI NOR）已逐渐取代并行闪存在新设计中的地位，但E28F020120仍在大量现有设备的维修、替换和备件供应链中发挥重要作用。

SST39SF020A
　　AM29F020B
　　MBM29F020
　　HY29F020