E28F016S585 时间：2025/12/26 13:52:13 阅读：18

E28F016S585是英特尔（Intel）推出的一款并行接口的16兆位（Mb）闪存芯片，属于Intel StrataFlash?架构系列。该器件采用先进的多层存储技术，能够在每个存储单元中存储多位数据，从而在不增加物理尺寸的情况下显著提高存储密度。E28F016S585广泛应用于需要高可靠性、中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。该芯片支持多种电源电压操作，具备低功耗特性，适合工业控制、通信设备、网络设备以及便携式设备等应用场景。其封装形式通常为48引脚TSOP（薄型小外形封装），便于在空间受限的PCB设计中使用。作为一款较早期的StrataFlash产品，E28F016S585虽然在当前高速发展的存储市场中已被更高性能的NOR Flash或NAND Flash解决方案所取代，但在一些遗留系统或对兼容性要求较高的场合仍具有一定的使用价值。

参数

制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2M x 8位或 1M x 16位
　　工艺技术：StrataFlash 多层存储技术
　　工作电压：2.7V 至 3.6V（VCC）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　访问时间：典型值 70ns、90ns、120ns 可选
　　接口类型：并行异步接口
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：VPP = VCC
　　待机电流：典型值 < 100 μA
　　读取电流：典型值 < 30 mA
　　编程/擦除电流：典型值 < 30 mA
　　写保护功能：硬件 WP# 引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程单位：字节或字
　　可靠性：耐久性 > 100,000 次擦写周期，数据保持 > 100 年

特性

E28F016S585采用Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR闪存的多层存储架构，能够在单个存储单元中可靠地存储多个数据位，从而实现比传统NOR Flash更高的存储密度和更低的每比特成本。这种技术通过精确控制浮栅晶体管的阈值电压来区分不同的状态级别，支持多种编程和验证算法以确保数据完整性。该器件支持两种总线宽度配置：8位（x8）和16位（x16），用户可根据系统需求灵活选择，提升了其在不同微处理器和微控制器系统中的兼容性。芯片内置高性能异步读取功能，访问时间最快可达70ns，满足大多数实时嵌入式系统的性能要求。此外，E28F016S585集成了智能编程和自动擦除功能，控制器可通过简单的命令接口触发操作，无需外部高压电源，简化了系统设计。
　　为了提升系统可靠性，该芯片配备了硬件写保护引脚（WP#），可在上电或低电压期间防止非法写入或误擦除，保障关键固件的安全。其支持扇区级擦除能力，允许对存储器进行精细管理，适用于需要频繁更新部分代码或数据的应用场景。E28F016S585具备出色的环境适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于恶劣工业环境。所有操作均符合JEDEC标准，且器件通过了严格的可靠性测试，包括高温老化、数据保持和耐久性验证。尽管该型号已逐步被新型闪存替代，但其稳定的性能和广泛的行业应用基础使其在维护和升级旧有系统时仍具重要价值。

应用

E28F016S585主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备，在这些系统中用于存储固件、配置参数和启动代码。在网络与通信领域，该芯片常用于路由器、交换机、基站控制模块中，作为引导程序（bootloader）和操作系统映像的存储介质。由于其支持XIP（就地执行）功能，CPU可直接从该闪存中运行代码，无需将程序加载到RAM，从而节省系统资源并加快启动速度。在消费类电子中，可用于打印机、POS终端、医疗仪器等设备中存储应用程序和校准数据。此外，在汽车电子模块（如车身控制模块BCM）中也有应用，尤其是在对AEC-Q100认证要求不严的次级系统中。由于其具备扇区擦除和字节编程能力，也适合用于需要局部更新的数据记录系统。虽然目前主流设计已转向SPI NOR Flash或eMMC等更小型化、低功耗方案，但在需要并行接口和大地址空间兼容性的老式系统升级或备件替换中，E28F016S585仍是一个可行的选择。