时间：2025/4/28 16:18:23
阅读：2
E28F016S5120 是一款高性能的闪存（Flash Memory）芯片，通常用于数据存储和程序代码存储。该芯片采用先进的制程技术制造，具有高可靠性和低功耗的特点，适合工业级和消费级应用。其大容量和快速读写性能使其在嵌入式系统、物联网设备以及其他需要高效数据管理的场景中得到广泛应用。
容量：16Mb
接口类型：SPI
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WSON8
页大小：256 Bytes
扇区大小：4KB
块大小：64KB
最大时钟频率：104MHz
数据保存时间：20年
擦写耐久性：100,000 次
E28F016S5120 提供了多种增强特性和功能以满足不同应用场景的需求。
1. 高速传输：支持高达 104MHz 的时钟频率，提供卓越的数据吞吐量。
2. 多种操作模式：支持标准 SPI、双 I/O 和四 I/O 模式，能够灵活适应不同的硬件设计需求。
3. 可靠性高：具备 100,000 次擦写周期和长达 20 年的数据保持能力。
4. 安全性：内置多种保护机制，例如软件写保护和硬件写保护，确保数据安全。
5. 低功耗设计：待机模式下电流消耗极低，非常适合电池供电设备。
6. 小型化封装：采用紧凑的 WSON8 封装，节省 PCB 空间。
E28F016S5120 芯片适用于各种需要高效数据存储的应用领域。
1. 嵌入式系统：用作微控制器的外部存储器扩展，存储固件和用户数据。
2. 工业自动化：记录传感器数据或配置信息，为工业设备提供可靠的非易失性存储解决方案。
3. 消费电子：应用于数码相机、智能音箱等产品中，存储媒体文件或应用程序。
4. 物联网设备：为智能家居、可穿戴设备等提供高效的代码和数据存储功能。
5. 网络通信：在网络路由器、交换机等设备中作为引导存储或日志记录存储。
MX25L1606E, W25Q16JVSSIG, GD25Q16C
