类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　漏源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅源极击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 2.7mΩ（VGS=10V）
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB

E267DN 是一款高性能功率 MOSFET，具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这对于高电流应用（如 DC-DC 转换器和同步整流器）尤为重要。
　　其次，E267DN 采用先进的沟槽栅技术，提供快速开关能力和良好的动态性能，有助于减少开关损耗并提高响应速度。这使得它非常适合用于高频开关电源和电机驱动应用。
　　此外，该器件具有较高的电流承受能力，能够在高负载条件下稳定工作。其额定漏极电流高达 100A，能够支持大功率负载的控制和调节。同时，E267DN 的热阻较低，具备良好的散热能力，确保在高功率运行时仍能保持稳定的工作温度。
　　在可靠性方面，E267DN 提供了优良的短路和过温保护能力。其结构设计和材料选择确保了器件在极端条件下仍能保持稳定，适用于严苛的工业环境。
　　最后，E267DN 采用标准的 TO-220AB 封装，具有良好的安装兼容性，便于集成到各种电路板设计中。这种封装形式不仅提供了足够的机械强度，还具备良好的散热性能，适用于多种高功率应用场景。

E267DN 广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。例如，在电源管理领域，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电路中，以实现高效的能量转换和管理。
　　在工业自动化和控制系统中，E267DN 可用于马达驱动、继电器替代和功率控制电路，提供快速响应和稳定的输出性能。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）和电动工具中的高电流开关应用。
　　消费类电子产品中，E267DN 常见于高功率 LED 驱动、电源适配器和充电器设计中，以满足高效率和小尺寸的需求。同时，它也可用于汽车电子系统，如车载充电器、启动电机控制和 LED 照明驱动等应用。

IRF1404、SiS430DN、FDMS86101、IPD90N06S4-03