时间：2025/12/25 17:02:31
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E01135AB 是一款由Vishay Siliconix公司生产的场效应晶体管（FET）阵列器件。该器件属于小型信号MOSFET产品系列，专为高密度、低功耗应用设计，适用于便携式电子设备和需要高效开关性能的电路中。E01135AB采用先进的半导体制造工艺，具备优良的电气特性和可靠性，在工业控制、通信系统及消费类电子产品中有广泛应用前景。此型号为双N沟道增强型MOSFET，集成在一个紧凑的封装内，能够有效节省PCB空间并提升系统集成度。其设计注重热稳定性和开关速度，适合用于电源管理、负载开关、逻辑电平转换以及模拟开关等场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品的制造要求。由于其优异的跨导性能和较低的栅极电荷，E01135AB在高频工作条件下仍能保持良好的效率与响应能力。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20 V
连续漏极电流（Id）：100 mA
脉冲漏极电流（Id_pulse）：400 mA
栅源阈值电压（Vgs_th）：0.8 V 至 1.5 V
导通电阻（Rds(on)）：典型值 3.5 Ω
输入电容（Ciss）：约 25 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：SOT-363 (SC-88)
功率耗散（Pd）：200 mW
E01135AB 具备出色的开关特性和稳定的直流参数表现，特别适用于对空间和功耗敏感的应用环境。其双N沟道结构允许两个独立的MOSFET共用同一控制逻辑，极大地方便了多路信号控制的设计需求。该器件的低阈值电压特性使其可以直接由低压逻辑信号（如1.8V或3.3V CMOS）驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化系统架构并降低整体成本。同时，由于其较小的输入电容和快速的开关响应时间，E01135AB 在高频切换应用中表现出色，可有效减少开关损耗，提高系统能效。
该器件采用SOT-363六引脚超小型封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm，非常适合高密度贴装和手持式设备使用。封装材料具有良好的热传导性能，并结合内部芯片布局优化，确保在额定功率下长期稳定运行。此外，E01135AB 经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）以及温度循环试验，保证其在恶劣环境下依然保持高性能输出。其低导通电阻进一步降低了导通状态下的功率损耗，提升了能源利用率。
值得一提的是，该器件在抗静电能力方面也进行了加强，具备一定的ESD防护能力（HBM模型可达2kV以上），有助于提升生产过程中的良品率和终端产品的耐用性。对于电池供电设备而言，E01135AB 的低静态电流消耗和快速关断特性可以显著延长待机时间。总体来看，这款MOSFET阵列为现代微型化电子系统提供了高效、可靠的解决方案，是中小功率开关应用的理想选择。
广泛应用于便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关与电池隔离电路。也可用于通信接口中的信号路由与电平转换，如I2C总线缓冲器或多路复用控制。在工业自动化领域，常作为传感器信号调理电路中的模拟开关或驱动小型继电器。此外，还适用于音频设备中的静音控制、LED背光调光电路以及各类嵌入式控制系统中的数字I/O扩展。由于其高集成度和小尺寸特性，特别适合用于空间受限的高密度PCB设计场合。
SI3453DV,EUP3211,DMG2302U
