您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DZT651-13

DZT651-13 发布时间 时间:2025/12/23 19:12:28 查看 阅读:22

DZT651-13是一种用于高压整流的硅堆元件,主要应用于高电压环境下的电路整流和保护。该元件采用硅材料制造,具有较高的耐压能力和稳定的电气性能,适用于各种工业设备和电源系统中的整流电路。DZT系列硅堆以其高可靠性、低反向漏电流以及优良的温度特性著称。
  这种型号的硅堆通常被设计为多单元结构,能够承受较高的峰值反向电压,同时具备良好的热稳定性,确保在极端条件下仍能保持正常工作。

参数

型号:DZT651-13
  类型:高压整流硅堆
  峰值反向电压:13kV
  正向平均电流:2A
  最大浪涌电流:100A
  正向压降:≤1.1V
  反向漏电流:≤5μA(25℃)
  工作温度范围:-40℃至+125℃

特性

DZT651-13的主要特性包括高耐压能力,能够承受高达13kV的峰值反向电压,使其非常适合应用于高压场合。此外,其正向平均电流为2A,满足一般工业整流需求。
  该元件还具备低反向漏电流,典型值不超过5μA,在高温环境下仍能保持较低的漏电水平。另外,它的多单元设计有助于分散热量,从而提高整体热稳定性。
  DZT651-13的工作温度范围较宽,从-40℃到+125℃,适应各种恶劣环境条件。这使得它不仅适合普通室内应用,还可以用于户外或高温设备中。
  最后,DZT651-13具有良好的抗浪涌能力,可承受高达100A的浪涌电流,这对于防止瞬态过压对电路的损害至关重要。

应用

DZT651-13广泛应用于需要高电压整流的场景,例如X射线设备、激光器、雷达系统、高压电源以及其他工业用电设备。
  在医疗领域,它常用于CT扫描仪和X光机等设备的高压电源部分,提供稳定可靠的整流功能。
  此外,该元件也可用作高压电路中的保护器件,帮助吸收异常尖峰电压并保护敏感元器件免受损坏。
  总之,任何涉及高电压直流输出或者需要高压保护的地方都可以考虑使用DZT651-13。

替代型号

DZT651-15, DZT652-13, 1N5378B

DZT651-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DZT651-13资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DZT651-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DZT651-13-NDDZT651DITR