型号：DXT790AP5-13
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-5.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-14A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-4.5V：21mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-2.5V：26mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-1.8V：33mΩ
　　栅极阈值电压(Vth)：-0.5V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：500pF
　　输出电容(Coss)：185pF
　　反向恢复时间(trr)：12ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2020-5

DXT790AP5-13采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构能够显著降低单位面积上的导通电阻，从而在相同封装尺寸下提供更高的电流承载能力和更低的能量损耗。其P沟道特性使其特别适用于高端开关配置，尤其是在电源路径控制和电池管理系统中作为负载开关使用时，无需额外的电荷泵电路即可实现高效的电压切换。该器件在VGS=-4.5V条件下的典型RDS(on)仅为21mΩ，这使得它在低电压应用如3.3V或5V系统中表现出卓越的导通性能，有效减少了发热并提升了能效。
　　该MOSFET的栅极驱动电压兼容性强，支持从-1.8V到-4.5V的宽范围栅压操作，尤其适合与现代低压微控制器或逻辑IC直接接口，无需电平转换器即可完成控制，简化了系统设计复杂度并降低了外围元件数量。此外，其较低的输入和输出电容（Ciss=500pF, Coss=185pF）有助于减少开关过程中的充放电能量损失，提升高频工作的响应速度与效率。
　　封装方面，DXT790AP5-13采用DFN2020-5小型化封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB布局实现良好的热传导，增强器件在高负载条件下的散热能力。该封装还具备优异的机械稳定性和抗振动性能，结合AEC-Q101认证，使其不仅适用于消费电子，也广泛应用于汽车信息娱乐系统、车载摄像头模块和车身控制模块等对可靠性要求极高的场景。
　　器件内部集成了体二极管，具备一定的反向电流导通能力，在某些拓扑结构中可作为续流路径使用。其较短的反向恢复时间（trr=12ns）意味着体二极管在关断过程中产生的反向恢复电荷较少，有助于抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。综合来看，DXT790AP5-13凭借其低RDS(on)、小封装、高可靠性和广泛的电压兼容性，成为现代高效电源管理设计中的理想选择之一。

DXT790AP5-13广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电控制电路。在这些设备中，该MOSFET常被用作主电源路径的通断控制，实现对不同功能模块的上电和断电管理，以优化功耗并延长续航时间。此外，它也适用于USB供电接口中的过流保护和热插拔控制，确保连接设备的安全接入与断开。
　　在工业和汽车电子领域，DXT790AP5-13可用于分布式电源系统中的点负载开关、电机驱动电路中的辅助控制开关以及传感器模块的电源启停控制。得益于其AEC-Q101车规认证，该器件可在高温、高湿和强振动环境下稳定运行，因此常见于车载导航系统、倒车影像模块、ECU外围电源管理单元等应用中。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，该MOSFET可用于实现低功耗待机模式下的电源域隔离，帮助系统在睡眠状态下切断非必要电路的供电，从而大幅降低静态电流消耗。同时，其快速的开关响应能力也使其适用于脉宽调制（PWM）控制的DC-DC转换器或LED背光驱动电路中，特别是在需要精确控制电流流向的P侧开关拓扑中表现优异。

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　　 "DMG2305UX",
　　 "AOZ5205PI",
　　 "SI2301ADS",
　　 "FDC630P",
　　 "RTQ2742GBSP"
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