时间：2025/7/11 21:15:59
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DW03D-B-S 是一款基于 MOS 管技术的过充保护芯片，主要用于单节锂电池或磷酸铁锂电池的过充、过放、过流及短路保护。该芯片具有低功耗、高精度和快速响应的特点，能够有效延长电池寿命并提升安全性。
其内部集成了电压检测电路和延时电路，能够精确监测电池电压，并在异常情况下及时切断充电或放电回路。此外，DW03D-B-S 的设计使其能够在高温或低温环境下保持稳定性能。
工作电压：2.5V-4.6V
静态功耗：≤1μA
过压保护点：4.35V ± 0.025V
欠压保护点：2.4V ± 0.075V
过流保护点：可根据外置电阻设置
短路保护响应时间：≤1ms
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
封装形式：SOP-8
1. 内部集成高精度电压检测电路，确保保护点的准确性。
2. 支持外部电阻调节过流保护阈值，灵活性强。
3. 超低静态功耗，减少对电池容量的额外消耗。
4. 快速短路保护功能，能够在毫秒级内切断电流。
5. 宽温工作范围，适用于各种环境条件下的电池保护应用。
6. SOP-8 封装，便于 PCB 布局与焊接。
7. 提供完善的过充、过放、过流及短路保护机制，增强电池使用安全性。
DW03D-B-S 广泛应用于单节锂电池或磷酸铁锂电池的保护电路中，典型应用场景包括：
1. 移动电源、蓝牙耳机等便携式电子设备。
2. 智能手环、智能手表及其他可穿戴设备。
3. 无线键盘、无线鼠标等小型输入设备。
4. RC 模型、无人机等需要高效电池管理的设备。
5. 其他需要单节锂电池供电且对保护功能要求较高的场合。
DW01-P、AS3832、HI8521
