时间：2025/7/31 15:23:54
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DW02/TR 是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于低电压和中等功率应用中。该器件采用小型SOT-26封装，适合空间受限的便携式电子产品设计。其主要功能是作为开关或放大元件，在DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电源管理系统中具有广泛应用。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
极性：双N沟道
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：300mA（单个通道）
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-26
DW02/TR 具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特性。其双N沟道结构设计使其在单个封装中提供了两个独立的MOSFET器件，适用于需要多个开关的应用场景。SOT-26封装形式不仅减小了PCB占用面积，还提高了组装效率。此外，该器件具有优异的可靠性，在高温和恶劣环境下依然能保持稳定性能。由于其低栅极电荷和低跨导，DW02/TR在高频开关应用中表现出色，有助于提高系统效率并降低功耗。
DW02/TR 主要应用于便携式电子设备、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、逻辑控制电路、马达驱动器以及电池供电设备等领域。由于其小型化设计和高效能特性，也广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和工业自动化控制系统中。
2N7002, BSS138, FDN340P, 2N3904
