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DVRN6056-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 9:28:41 查看 阅读:15

DVRN6056-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低电压、双P沟道增强型MOSFET,专为高效率电源管理应用设计,尤其适用于便携式电子设备中的负载开关、电池管理以及电源路径控制等场景。该器件采用先进的TrenchFET技术,能够在极低的导通电阻下工作,从而显著降低功率损耗并提高系统整体效率。DVRN6056-7-F封装于小型化的DFN2020-6L(2mm x 2mm)封装中,具有优异的热性能和空间利用率,非常适合对尺寸和功耗敏感的应用场合。该MOSFET支持逻辑电平驱动,栅极阈值电压较低,可直接由3.3V或1.8V的控制器驱动,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计。此外,其内部结构优化了开关特性,具备快速的开关响应能力,有助于减少开关过程中的能量损耗。DVRN6056-7-F还集成了体二极管,可在某些条件下提供反向电流保护功能,并在数据手册中明确给出了相关的安全工作区(SOA)信息以确保可靠运行。这款器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级认证,表明其在汽车电子应用中也具备良好的可靠性与稳定性。

参数

型号:DVRN6056-7-F
  通道类型:双P沟道
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):-12V
  连续漏极电流(ID):-4.9A
  脉冲漏极电流(ID_pulse):-14A
  导通电阻(RDS(on)):4.7mΩ @ VGS = -4.5V;6.0mΩ @ VGS = -2.5V;8.5mΩ @ VGS = -1.8V
  栅极阈值电压(VGS(th)):-0.55V ~ -1.0V
  输入电容(Ciss):320pF @ VDS=10V
  开启延迟时间(td(on)):6ns
  关断延迟时间(td(off)):11ns
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:DFN2020-6L (2mm x 2mm)

特性

DVRN6056-7-F的核心优势在于其采用的先进TrenchFET制造工艺,该工艺通过优化沟道结构和掺杂分布,实现了极低的导通电阻与高载流能力的平衡。在VGS = -4.5V时,其RDS(on)仅为4.7mΩ,这意味着在大电流应用场景下能够有效减少I2R损耗,提升能效表现。同时,在更低的驱动电压如-2.5V或-1.8V下仍能保持较低的导通电阻(分别为6.0mΩ和8.5mΩ),使其兼容现代低电压逻辑控制系统,例如由微控制器或PMIC直接驱动的应用。这种低门槛驱动能力减少了外围驱动电路的需求,降低了BOM成本和PCB布局复杂度。
  该器件的双P沟道配置允许其在电源多路复用、双电池切换或H桥驱动等拓扑中灵活使用。每个通道都经过独立优化,确保通道间参数一致性高,避免因失配导致的电流不均问题。其DFN2020-6L封装不仅体积小巧,便于高密度集成,而且底部带有散热焊盘,可通过PCB敷铜有效导出热量,提升长期工作的热稳定性。该封装还具备较低的寄生电感和电阻,有利于高频开关操作下的EMI控制。
  从可靠性角度看,DVRN6056-7-F通过了AEC-Q101认证,意味着其在温度循环、高温反偏、机械冲击等多项应力测试中均满足汽车行业严苛要求,适合用于车载信息娱乐系统、ADAS模块或车身控制单元中的电源管理部分。此外,器件内置的体二极管具有一定的反向恢复特性优化,虽然不推荐作为主整流元件使用,但在瞬态反向电流抑制方面仍可提供基本保护作用。总体而言,DVRN6056-7-F凭借其高性能、小尺寸、易驱动和高可靠性,成为现代高效电源系统中理想的P沟道MOSFET解决方案之一。

应用

DVRN6056-7-F广泛应用于各类需要高效、紧凑型电源开关的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的负载开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,在这些设备中用于控制显示屏背光、摄像头模组或无线通信模块的供电通断,以实现节能待机和动态电源管理。此外,它也被用于电池供电系统的电源路径管理,例如在双电池切换或多输入源选择电路中,利用其低导通电阻特性最小化电压降,确保主电源与备用电源之间的无缝切换。
  在工业与医疗设备领域,该器件可用于低电压直流电机驱动、传感器电源控制以及隔离式开关电路,其快速开关能力和稳定的电气参数保证了系统响应的精确性与可靠性。由于其具备AEC-Q101认证,DVRN6056-7-F同样适用于汽车电子系统,如车窗升降器控制、座椅调节模块、车载充电器和车内照明驱动等,尤其是在需要P沟道MOSFET进行高端开关的应用中表现出色。另外,由于其封装小型化且热性能良好,也常被用于空间受限的模块化电源设计,如PoE受电设备、USB PD电源开关以及FPGA或ASIC的辅助电源控制电路中,提供稳定可靠的开关功能。

替代型号

[
   "DMG2302UKS-7",
   "SI2302ADS-T1-E3",
   "FDMC8626",
   "RTQ2120AHGSP",
   "AOZ5311PI"
  ]

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DVRN6056-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN + 齐纳二极管(隔离式)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,1V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-26
  • 包装带卷 (TR)