电容值：47000 pF (47nF)
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：X7R
　　封装/尺寸：1210 (3225 metric)
　　端接类型：标准
　　温度系数：±15%
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　最大工作电压：50V
　　频率特性：适用于中高频应用

DVN-5R5D473T-R5 是一款基于X7R介质材料的多层陶瓷电容器，具有良好的温度稳定性和广泛的适用性。其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内保持相对稳定，变化率控制在±15%以内，适用于需要稳定电容值的电路应用。
　　该电容器具有较高的额定电压（50V），使其能够在中高压应用中使用，而不会出现明显的电容下降或可靠性问题。此外，该电容器的端接设计符合行业标准，便于在自动化SMT生产线上使用，提高生产效率。
　　由于其陶瓷介质的特性，DVN-5R5D473T-R5具有良好的高频响应能力，能够在1MHz至100MHz范围内保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），适用于去耦、滤波以及射频电路中的旁路应用。
　　这款电容器的绝缘电阻值大于10,000 MΩ，表现出良好的漏电流控制能力，适用于对低漏电要求较高的模拟和混合信号电路。

DVN-5R5D473T-R5 多层陶瓷电容器广泛应用于各种电子设备和系统中。常见应用包括：
　　? 电源管理电路中的去耦电容，用于滤除高频噪声并稳定电源电压。
　　? 射频和模拟电路中的旁路电容，提供低阻抗路径以提高信号完整性。
　　? 工业控制设备、通信模块和嵌入式系统的滤波和储能应用。
　　? 汽车电子系统，如ECU、传感器模块和车载通信设备，满足高可靠性需求。
　　? 高速数字电路中用于减少电源波动和改善信号质量。

GRM32ER71H473KA12L, C3225X7R1H473K160AB, CL32B473KBHNNNE