DVHF+28512T 是一款高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),具有高速访问时间、高可靠性和出色的电气性能。该芯片通常用于需要快速数据存取和稳定运行的应用场景,例如工业控制、通信设备、消费类电子产品以及嵌入式系统等。
该 SRAM 芯片采用标准的 CMOS 工艺制造,能够在较宽的工作电压范围内正常运行,同时提供较低的待机功耗。其主要功能是为系统提供临时数据存储,支持快速读写操作,确保数据传输的高效性。
容量:2M x 8 bits
工作电压:2.7V 至 3.6V
待机电流:典型值 10μA
工作电流:最大 50mA
访问时间:最快 10ns
接口类型:同步或异步
封装形式:TQFP-48 或 BGA-48
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保持时间:超过10年
DVHF+28512T 具备以下显著特性:
1. 高速存取能力:该芯片支持高达 10ns 的访问时间,可满足对速度要求较高的应用需求。
2. 低功耗设计:待机模式下的功耗极低,适合对功耗敏感的设计。
3. 宽工作电压范围:支持 2.7V 至 3.6V 的电压范围,增强了在不同电源环境下的适应性。
4. 数据可靠性:具备长时间的数据保持能力,确保断电后数据不会丢失。
5. 多种封装选项:提供 TQFP 和 BGA 封装形式,便于根据具体应用场景选择合适的封装方式。
6. 宽温工作能力:能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定运行,适用于工业级和商业级应用。
DVHF+28512T 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化控制:用作嵌入式系统的缓存或数据缓冲区。
2. 网络通信设备:如路由器、交换机中的临时数据存储。
3. 消费类电子产品:包括数码相机、打印机和其他需要快速数据处理的设备。
4. 医疗设备:用于数据采集和暂存,例如监护仪和诊断仪器。
5. 军事与航天:因其高可靠性和稳定性,在特殊环境中也有一定的应用价值。
CY7C1041DV33, IS61LV25616, AS6C1008