产品类型：双P沟道MOSFET
　　工作电压（VGS）：±12V
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（通道1），-4.1A（通道2）
　　脉冲漏极电流（ IDM）：-12.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -4.5V；52mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：320pF @ VDS = -10V
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN2020

DUP412VP5-7所采用的TrenchFET技术是一种先进的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制造工艺，能够显著降低导通电阻并提高单位面积下的电流承载能力。这种技术通过在硅基底上刻蚀垂直沟槽并形成栅极结构，有效增加了导电通道的截面积，从而在相同芯片尺寸下实现了更低的RDS(on)，这对于减少功率损耗和提升整体系统效率至关重要。尤其在低电压、大电流的应用环境中，如电池供电系统或移动设备电源管理模块中，这种低导通电阻特性可以大幅降低能量浪费，延长电池续航时间。同时，由于每个MOSFET通道的RDS(on)在-4.5V栅压下仅为45mΩ，在-2.5V时也仅为52mΩ，表明其在逻辑电平驱动条件下仍能保持优异的导通性能，适合直接由3.3V或2.5V控制器驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该器件的双P沟道配置允许在高端开关应用中灵活使用，例如用于正电源的通断控制，避免了使用N沟道MOSFET时所需的自举电路或更高栅极驱动电压。这不仅简化了电路设计，还降低了整体成本和元件数量。此外，DUP412VP5-7具有较低的输入电容（典型值320pF），有助于减少开关过程中的驱动损耗，并加快开关速度，从而进一步提升动态响应能力和转换效率。器件的阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，确保了良好的开启一致性与噪声容限，防止因微小电压波动导致误触发。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）保证了在极端环境下的可靠性，适用于工业、汽车及消费类电子等多种应用场景。DFN2020封装不仅体积小巧（2mm x 2mm），还具备优良的散热性能，底部裸露焊盘可有效传导热量至PCB，提升热稳定性。综合来看，DUP412VP5-7凭借其高集成度、低功耗、小尺寸和高可靠性，成为现代紧凑型电源管理系统中的优选器件。

DUP412VP5-7广泛应用于各类需要高效电源控制的便携式和嵌入式电子设备中。一个典型的应用场景是作为负载开关，用于控制主处理器、传感器、显示屏或其他外设模块的供电通断。在这种应用中，通过逻辑信号控制MOSFET的栅极，可以实现快速、低损耗的电源启停，有效管理系统的待机功耗，延长电池寿命。例如，在智能手机和平板电脑中，多个功能模块并非始终处于工作状态，利用DUP412VP5-7的双通道结构，可分别控制不同的电源域，实现精细化电源管理。此外，该器件也常用于电池保护电路中，作为充放电路径上的开关元件，配合保护IC完成过流、短路或反接保护功能。
　　在热插拔电路设计中，DUP412VP5-7可用于限制浪涌电流，防止在设备接入电源瞬间产生过大冲击电流损坏系统。其缓慢开启特性可通过外部RC网络调节栅极充电速率，实现软启动功能，提升系统安全性与稳定性。在DC-DC转换器的同步整流或电源多路复用（Power MUX）电路中，该器件也可作为理想的开关元件，特别是在低电压输入（如3.3V或5V系统）中表现出色。由于其P沟道特性，无需复杂的栅极驱动电路即可实现高端驱动，特别适合单电源系统的电源路径管理。此外，该器件还可用于电机驱动、LED驱动以及各种工业控制模块中的电源切换任务。得益于其小型化封装和高可靠性，DUP412VP5-7同样适用于可穿戴设备、物联网终端、医疗监测仪器等对空间和能效要求严苛的产品中。总之，凡是需要低导通电阻、小尺寸、高集成度P沟道MOSFET的场合，DUP412VP5-7都是一个极具竞争力的选择。

DMP2020UFG-7
　　DMG2020UFG-7
　　SI2301BDS-T1-E3
　　AP2112K-7