型号：DTP4N60
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：2.2Ω（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V, ID=2A：典型值约1.8Ω
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：典型值650pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：典型值110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值34ns
　　最大功耗（PD）：50W @ TC=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-251 (IPAK)

DTP4N60采用了高性能的平面条状沟槽工艺，这种先进制程技术不仅提升了器件的载流能力，同时也显著降低了单位面积上的导通电阻，从而有效减少了导通状态下的功率损耗。该MOSFET具备出色的热稳定性和长期可靠性，能够在高达150°C的结温下持续运行，满足严苛工业环境的应用需求。其低栅极电荷（Qg）特性意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于简化驱动电路设计并降低控制器的负载压力。例如，在典型的65kHz PFC升压变换器中，低Qg可使驱动损耗下降30%以上，进而提高整机能效。此外，该器件具有较低的输入和输出电容（Ciss/Coss），这有助于减小开关过程中的电压应力和振铃现象，改善系统的电磁兼容性（EMC）。
　　DTP4N60内置的体二极管经过优化设计，具备较快的反向恢复速度（trr ≈ 34ns），可在硬开关拓扑中有效抑制反向恢复电流引起的电压尖峰和能量损耗，避免对主开关管造成二次击穿风险。这一特性使其非常适合用于有源钳位反激、LLC谐振转换器以及连续导通模式PFC电路中。同时，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力（EAS），即使在异常过压或瞬态浪涌条件下也能保持结构完整性，增强了系统安全性。其坚固的封装结构（TO-251）提供了良好的散热路径，并支持通孔安装方式，适用于自动化生产和手工焊接两种工艺流程。此外，器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全认证，确保在全球范围内的合规使用。

DTP4N60广泛应用于各类中等功率等级的开关电源系统中，尤其适用于需要高耐压和高效率特性的场合。典型应用场景包括离线式AC-DC适配器、充电器、LED恒流驱动电源、工业控制电源模块以及家用电器中的电源部分。在LED照明领域，该器件常被用作升压型或反激式拓扑中的主开关元件，凭借其低导通电阻和快速开关能力，能够实现90%以上的转换效率，并有效控制温升。在功率因数校正（PFC）电路中，DTP4N60作为升压斩波开关，可在宽输入电压范围内（如85VAC~265VAC）维持稳定的直流母线电压输出，同时满足IEC 61000-3-2等谐波电流限制标准。此外，它也被用于小型逆变电源、太阳能微逆变器、不间断电源（UPS）以及电机驱动控制系统中，承担功率切换和能量传输功能。由于其具备较强的抗噪能力和电压耐受性，DTP4N60在电网波动较大或电磁干扰严重的环境中仍能可靠运行。该器件还可用于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电源以及各种消费类电子产品中的隔离式电源设计。得益于其紧凑的TO-251封装，DTP4N60在空间受限的设计中也具有良好的适应性，是中小功率电源方案中理想的高压MOSFET选择之一。

FQP4N60C
　　STP4N60M2
　　KP4N60F
　　2SK2542