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DTESDB5V0LP 10K/R 发布时间 时间:2025/8/16 18:42:21 查看 阅读:3

DTESDB5V0LP 10K/R是一款由Diodes公司生产的表面贴装(SMD)静电放电(ESD)保护二极管,主要用于保护电子电路中的敏感元件免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型DFN封装(2.5mm x 1.0mm),适用于空间受限的便携式电子设备。DTESDB5V0LP 10K/R的工作电压为5V,能够吸收高达10A的峰值电流(IEC 61000-4-2 Level 4标准),具有低钳位电压和快速响应时间的特性,确保在严苛环境下仍能提供可靠的保护。该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、USB接口、HDMI接口以及其它高速数据线路的ESD保护场景。

参数

工作电压:5V
  峰值脉冲电流(IEC 61000-4-2 Level 4):10A
  反向关态电压(VRWM):5V
  钳位电压(Vc):最大9.5V(在8A时)
  响应时间:小于1ns
  封装类型:DFN(2.5mm x 1.0mm)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C
  结电容:典型值0.35pF
  最大反向漏电流:1μA(在25°C下)

特性

DTESDB5V0LP 10K/R具备多项优异特性,确保其在各种电子设备中提供高效、稳定的ESD保护。
  首先,该器件具备极低的钳位电压,在ESD冲击下能有效降低对后级电路的影响,保护敏感IC不受损坏。其钳位电压在8A时最大为9.5V,远低于许多同类产品,有助于提高系统的可靠性。
  其次,该ESD保护二极管的响应时间小于1ns,能够迅速响应静电放电事件,减少电压尖峰对电路的冲击。这种快速响应能力使其适用于高速信号线路,如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等接口,确保数据传输的稳定性和完整性。
  此外,该器件具有极低的结电容(典型值0.35pF),使其适用于高频和高速数据传输应用。低电容特性可最大限度地减少对信号完整性的干扰,确保高速信号路径的稳定性。
  DTESDB5V0LP 10K/R采用DFN封装(2.5mm x 1.0mm),体积小巧,适用于空间受限的便携式电子产品。其表面贴装设计便于自动化生产和焊接,提高了生产效率和组装一致性。
  该器件的工作温度范围为-40°C至+125°C,符合工业级温度标准,适用于各种严苛环境下的应用。同时,其存储温度范围宽达-55°C至+150°C,保证了在运输和存储过程中不会因温度变化而受损。
  另外,DTESDB5V0LP 10K/R的反向漏电流极低(最大1μA),在正常工作条件下对电路功耗的影响可忽略不计。这一特性使其非常适合用于低功耗和节能型电子产品中。

应用

DTESDB5V0LP 10K/R广泛应用于各种需要静电放电保护的电子设备和系统中,尤其适用于便携式消费类电子产品和高速数据接口。
  在智能手机和平板电脑中,该器件用于保护USB接口、HDMI接口、耳机插孔、摄像头模块以及显示屏连接器等关键部位,防止静电放电对内部电路造成损坏。
  在网络通信设备中,DTESDB5V0LP 10K/R可用于保护以太网接口、RS-485通信接口和CAN总线等数据传输线路,提高系统的稳定性和抗干扰能力。
  在工业控制和自动化系统中,该器件用于保护PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和传感器接口,确保设备在复杂电磁环境中仍能正常运行。
  此外,DTESDB5V0LP 10K/R也适用于可穿戴设备、智能手表、智能家居控制器等新兴电子产品,为这些高集成度设备提供可靠的ESD保护方案。
  在汽车电子领域,该器件可用于保护车载娱乐系统、仪表盘接口、OBD-II诊断接口等,满足汽车电子对高可靠性和高温耐受性的要求。

替代型号

PESD5V0S1BA; ESD5504; D1213B-5V0

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