DTDG14GPFRAT100是一款高性能的MOSFET功率晶体管,适用于高频开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
此型号中的'DTDG'代表了制造商的系列代号,'14G'表示该器件的电压等级为14V,'PFR'指代封装形式为PDFN5*6-8L,而后续字母组合则用于标识其特定性能参数及版本信息。
最大漏源电压:14V
连续漏极电流:32A
导通电阻:0.7mΩ
栅极电荷:90nC
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至175℃
DTDG14GPFRAT100具有非常低的导通电阻,能够显著减少传导损耗,提高整体系统效率。同时,它还拥有快速开关速度,适合高频操作环境。此外,该器件采用了PDFN5*6-8L封装,这种封装形式不仅体积小巧,而且具备优秀的散热性能。
在可靠性方面,DTDG14GPFRAT100通过了严格的电气和机械测试,确保能够在极端条件下稳定运行。它的高温工作能力(最高可达175℃)使得其非常适合于汽车电子、工业控制以及其他对温度要求较高的应用场景。
该MOSFET功率晶体管可被广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、太阳能逆变器以及各种类型的开关电源之中。
由于其出色的效率和散热表现,DTDG14GPFRAT100特别适合需要紧凑设计且功率密度高的场合,例如电动车的牵引逆变器或数据中心的高效电源模块。
IRF3205
STP32NF10
FDP5500