DTD143EA是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和快速开关特性的电源管理应用。该器件采用SOP(小外形封装)或类似的小型封装形式,适用于便携式设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。DTD143EA以其低导通电阻(RDS(on))和优异的热稳定性而著称,能够在较高频率下工作,从而提高整体系统效率。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±8V
连续漏极电流(ID):4A(在VGS=4.5V时)
导通电阻(RDS(on)):最大值为85mΩ(在VGS=4.5V时)
功率耗散(PD):1.25W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOP-8
DTD143EA具有多个显著的性能特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))可以有效降低导通损耗,从而提高电源系统的整体效率。其次,该器件能够在较低的栅极电压(例如4.5V)下完全导通,使其适用于由低压控制器驱动的应用场景。
此外,DTD143EA采用了先进的沟槽式MOSFET技术,优化了开关性能,减少了开关损耗,适用于高频操作环境。其SOP-8封装不仅节省空间,还具备良好的热管理能力,能够在紧凑的PCB布局中有效散热。
器件的栅极设计具有较高的抗静电能力,增强了其在实际应用中的可靠性。此外,DTD143EA具备良好的温度稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的导通和开关性能,确保系统长时间运行的可靠性。
最后,该MOSFET具有较低的输入电容(Ciss)和反馈电容(Crss),有助于减少驱动电路的负担,提高响应速度,使其特别适用于需要快速切换的开关应用。
DTD143EA广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要应用包括便携式电子产品中的电源管理模块,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC转换器。它也常用于电池供电设备中的负载开关,以实现高效的电源控制和节能功能。
此外,该MOSFET可用于电机驱动电路、LED照明系统以及各类小型开关电源中。在工业控制系统中,DTD143EA也可作为低电压控制电路中的开关元件,提供高效、稳定的电流控制。
由于其快速开关特性,该器件在同步整流电路中也有出色的表现,能够显著提高电源转换效率。在汽车电子领域,DTD143EA可应用于车载充电系统、LED车灯驱动电路以及车身控制模块中,满足对高可靠性和高效率的要求。
Si2302DS, BSS138K, 2N7002K, FDV301N