类型：N沟道MOSFET
　　配置：单通道
　　漏源电压（Vds）：50V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（@ Vgs=10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：400mA
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23（SC-59）
　　导通电阻Rds(on)：典型值6.5Ω（@ Vgs=10V），最大值8.5Ω（@ Vgs=10V）
　　阈值电压Vgs(th)：开启电压典型值1.2V，范围0.8V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：约110pF（@ Vds=10V, f=1MHz）
　　开关时间：开启时间约15ns，关闭时间约10ns（典型值，依赖测试条件）

DTD114EL-AE3-R具备优异的开关性能和高可靠性，特别适合电池供电和对功耗敏感的应用环境。该器件的栅极内置了一个下拉电阻（通常为10kΩ至100kΩ量级），能够有效防止因寄生耦合或噪声引起的误触发，确保在控制信号断开或悬空时MOSFET处于确定的关断状态。这种集成化设计减少了外部元器件数量，简化了PCB布局，提高了整体系统的可靠性和生产效率。此外，其低阈值电压特性允许使用3.3V或更低逻辑电平直接驱动，兼容现代微控制器输出信号。
　　该MOSFET采用先进的沟槽型工艺制造，实现了较低的导通电阻与良好的热稳定性。尽管其绝对最大额定电流仅为100mA，但在轻负载开关应用中表现优异，例如LED指示灯控制、小信号继电器驱动、电源路径切换等。器件的热阻特性也经过优化，结到环境的热阻（Rth(j-a)）约为625°C/W，因此在高密度组装条件下仍能保持良好散热性能。
　　SOT-23封装具有体积小、重量轻、易于自动化贴装的优点，非常适合高密度印刷电路板设计。同时，该器件通过AEC-Q101车规认证的可能性存在（需查证具体批次），使其也可应用于汽车电子中的非动力系统模块。另外，ROHM对该产品提供了长期供货承诺，适用于工业级和消费类产品的批量生产需求。

该器件广泛应用于各种需要小型化、低功耗开关功能的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的负载开关，如智能手机和平板电脑内的背光控制、摄像头模块电源管理、音频放大器使能控制等。此外，在物联网设备和无线传感器节点中，DTD114EL-AE3-R可用于间歇性地接通传感器或无线收发模块的供电，以延长电池寿命。
　　在工业控制领域，它可用于PLC输入输出模块中的信号调理电路，或作为光电耦合器的驱动元件。由于其稳定的关断特性和抗干扰能力，也适合用作数字信号线路的电平转换或隔离驱动。在汽车电子方面，可用于车身控制系统中的灯光指示、按钮背光、车窗控制辅助电路等非高功率场景。
　　此外，该MOSFET还可用于电源管理系统中的ORing二极管替代方案、反向电流阻断电路以及热插拔控制电路。其快速开关响应能力使得在高频脉宽调制（PWM）应用中也能保持较低的开关损耗，提升整体能效。对于需要多路独立控制的小功率负载，多个DTD114EL-AE3-R可以并联使用或与其他逻辑器件配合实现复杂的电源序列控制功能。

DMG1014UW-7
　　MMBT3904-FILMTI
　　FDC6322L