晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA时，典型值为70（根据不同的等级可能有差异）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

DTD114EK/03晶体管具有以下几个显著特性：
　　首先，它具备较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）为100V，这意味着该晶体管可以在较高的电压条件下工作，适用于多种电源管理应用。
　　其次，该晶体管的集电极电流额定值为100mA，能够在低功耗条件下提供稳定的电流输出，适用于便携式设备和低功耗电路设计。
　　另外，DTD114EK/03的过渡频率（fT）为100MHz，表明其具备较好的高频性能，可以用于中高频信号放大和开关应用。
　　该晶体管的电流增益（hFE）在不同等级下有不同的值，典型值为70，在实际应用中可以根据需求选择不同等级的晶体管以满足设计要求。
　　此外，采用SOT-23封装形式，使该晶体管具有较小的体积和良好的热稳定性，便于在高密度PCB布局中使用，并且具有较好的散热性能。
　　最后，DTD114EK/03的工作温度范围较宽，为-55°C至150°C，使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。

DTD114EK/03晶体管广泛应用于多个领域。在通用电子电路中，它常用于信号放大和开关控制，例如在音频放大器、传感器接口电路和逻辑电平转换电路中。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该晶体管可以用于低功耗开关电路和电池管理系统，以提高能效并延长设备的使用时间。
　　在工业自动化和控制系统中，DTD114EK/03可用于驱动小型继电器、LED指示灯和小型电机，实现对各种设备的控制。
　　此外，由于其良好的高频性能，该晶体管也可用于射频（RF）电路中的信号放大和调制解调电路，适用于通信设备和无线模块的设计。
　　在汽车电子领域，该晶体管可以用于车载控制系统、传感器信号处理和车灯控制模块等，其宽工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠性。

MMBT3904, BC847, 2N3904