类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-723
　　最大漏源电压（Vds）：50V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：400mA
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值8Ω（Vgs=5V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.4V至1.0V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　功耗（Pd）：150mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　输入电阻（R1）：内部集成约47kΩ
　　下拉电阻（R2）：内部集成约47kΩ

DTD113ZU的核心特性之一是其高度集成的设计，将一个N沟道MOSFET与两个精密电阻集成于单一芯片内，其中一个电阻串联在栅极端子上，另一个则连接在栅极与源极之间作为下拉电阻。这种结构显著降低了外部元件数量，简化了PCB布局，并提高了整体系统的可靠性。由于省去了外部栅极驱动电阻，设计人员可以避免因电阻选型不当导致的开关速度过慢或电磁干扰问题。同时，下拉电阻确保在输入信号悬空时，MOSFET保持关断状态，防止意外导通，增强了系统的安全性与稳定性。
　　该器件具备优异的开关性能，其低输入电容和优化的栅极结构使得上升时间和下降时间非常短，支持高频PWM调制应用，例如用于LED亮度调节或直流电机控制。尽管其额定电流仅为100mA，但由于采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，其导通电阻保持在较低水平（典型8Ω），从而在小电流负载下实现高效的能量转换，减少发热损耗。
　　热性能方面，SOT-723封装虽然体积微小，但通过优化的芯片粘接技术和引线框架设计，实现了良好的散热路径，使其在150mW的最大功耗下仍能维持稳定运行。此外，器件的工作结温可达+150°C，表明其具有较强的环境适应能力，可在高温工业环境中短期使用。所有材料均符合无铅焊接要求，兼容回流焊工艺，适合自动化批量生产。
　　电气特性上，DTD113ZU的栅极阈值电压范围较窄（0.4V~1.0V），使其能够被低电压逻辑信号（如1.8V、2.5V或3.3V系统）直接驱动，无需电平转换器。这一特点使其广泛应用于微控制器I/O端口的负载接口电路中，作为缓冲或驱动级使用。同时，±12V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，防止静电放电（ESD）或瞬态电压冲击造成损坏。综合来看，DTD113ZU是一款集小型化、高集成度、易用性和可靠性于一体的先进数字MOSFET器件。

DTD113ZU广泛应用于各类便携式和高密度电子产品中，尤其适用于需要节省空间且对功耗敏感的设计场景。在智能手机和平板电脑中，它常用于背光LED的开关控制或摄像头模组的电源管理，利用其快速响应能力实现精确的亮度调节。在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙或NB-IoT模块）中，该器件可用于射频开关的偏置控制或天线切换电路，提供稳定的信号通路切换功能。
　　在消费类电子产品如智能手表、耳机和可穿戴设备中，由于主板空间极其有限，DTD113ZU的小型SOT-723封装成为理想选择，可用于传感器使能信号的驱动或电池供电路径的通断控制。此外，在嵌入式控制系统中，该器件常被用作微控制器GPIO的扩展驱动单元，用于控制继电器、蜂鸣器或其他外围设备，尤其是在无法直接由MCU引脚提供足够驱动电流的情况下。
　　工业和汽车电子领域中，虽然其功率等级不高，但在低功耗传感器接口、CAN总线终端使能控制或车内信息娱乐系统的信号切换部分也有应用潜力。其高温度耐受性和稳定性使其能在较为严苛的环境中可靠运行。此外，在测试测量设备和医疗电子设备中，DTD113ZU可用于精密信号路由或多路复用控制，凭借其低漏电流和高隔离性能保证信号完整性。
　　总体而言，该器件最适合用于低压、低电流、高频开关的应用场合，特别是在需要简化设计、提高集成度和降低BOM成本的项目中表现出色。

DTDM113ZU
　　FMMT113ZU