时间：2025/5/7 22:35:35
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DTD113ZCA是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于各种开关和功率管理应用，特别是在需要高效率和低功耗的情况下。它采用先进的制造工艺，确保了出色的导通电阻和快速开关性能。
DTD113ZCA通常被设计用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等场景，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：6nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：SOT-23
DTD113ZCA的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度，得益于其较小的栅极电荷值，适合高频应用。
3. 高静电防护能力（ESD），增强了器件在实际使用中的可靠性。
4. 小尺寸SOT-23封装，有助于节省PCB空间，并简化设计布局。
5. 宽泛的工作温度范围，能够在极端环境下保持稳定性能。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
DTD113ZCA广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. 消费类电子产品中的信号切换与保护。
3. LED驱动电路及小型电机控制。
4. 便携式医疗设备中的电池管理单元。
5. 工业自动化系统中的低功率开关节点。
6. 各种直流-直流转换模块中的同步整流元件。
AO3400A, IRLML6402, FDN340P
