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DTC643TKT146 发布时间 时间:2025/12/25 10:43:05 查看 阅读:9

DTC643TKT146是一款由东芝(Toshiba)公司生产的表面贴装型双极结型晶体管(BJT),属于PNP型通用放大和开关应用晶体管。该器件采用小型SOT-23(SC-59)封装,适合高密度印刷电路板布局,广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、信号切换电路以及低功率驱动场景中。DTC643TKT146的设计注重高效能与小型化,具备良好的热稳定性和高频响应能力,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。其内部结构为单个PNP晶体管,发射极、基极和集电极端子引出至封装外部,便于进行电路连接。该晶体管通常用于替代传统通孔器件,以适应现代电子产品对小型化和自动化组装的需求。此外,该型号带有“T146”卷带包装标识,表明其适用于自动贴片机供料,适合大规模SMT(表面贴装技术)生产工艺。
  DTC643TKT146在设计上优化了饱和压降和开关速度,使其在数字开关应用中表现出较低的导通损耗和快速的响应时间。同时,它也适用于小信号放大场合,如音频前置放大、传感器信号调理等。由于其可靠的性能和紧凑的封装形式,该器件被广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端及各类消费类电子产品中。

参数

型号:DTC643TKT146
  类型:PNP
  封装:SOT-23 (SC-59)
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):120~700(测试条件IC=2mA)
  过渡频率(fT):200MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DTC643TKT146具备优异的开关特性和稳定的放大性能,适用于多种低功率模拟与数字电路应用场景。其典型的直流电流增益(hFE)范围为120至700,在IC=2mA的测试条件下表现出良好的一致性,确保了在小信号放大应用中的线性度和稳定性。该晶体管的过渡频率高达200MHz,意味着其在高频信号处理方面具有较强的响应能力,能够胜任射频前端或高速逻辑开关任务。此外,较低的基极-发射极开启电压(典型值约0.7V)使得该器件在低压供电系统中也能有效导通,提升了能效表现。
  该器件的最大集电极-发射极电压为50V,能够满足大多数电池供电系统的耐压需求,例如3.7V锂离子电池设备及其升压/降压电路。其最大集电极电流为100mA,适用于驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极等轻负载应用。SOT-23封装不仅节省空间,还具备较好的散热性能,在正常工作条件下无需额外散热措施即可实现稳定运行。热阻方面,从结到环境的热阻约为625°C/W,需注意PCB布局以提升散热效率。
  DTC643TKT146符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,适用于绿色电子产品制造。其可靠性经过严格测试,包括高温反向偏置寿命试验(HTRB)、温度循环和湿度试验,确保在恶劣环境下长期稳定工作。此外,该器件具有良好的ESD防护能力,减少了在生产装配过程中因静电放电导致损坏的风险。批量生产的一致性高,适合自动化贴装工艺,提升了整机良率和生产效率。

应用

DTC643TKT146广泛应用于各类消费类电子设备中的信号切换、电平转换和小功率驱动电路。常见用途包括手机和平板电脑中的背光控制、摄像头模组的电源开关、耳机插拔检测电路以及传感器使能控制。在物联网设备中,常用于无线模块的启停控制,通过微控制器输出信号来开启或关闭射频单元以节约能耗。此外,该晶体管也可作为电平移位器,将低电压逻辑信号转换为更高电压的控制信号,用于驱动后续级电路。
  在电源管理系统中,DTC643TKT146可用于LDO使能端控制、电池充电路径切换或负载开关设计。其快速的开关响应时间有助于减少瞬态过程中的能量损耗,提高整体系统效率。在工业控制领域,该器件可用于PLC输入接口的小信号调理、光电耦合器的驱动级放大以及继电器驱动缓冲级。
  由于其小型封装和高集成度特点,DTC643TKT146特别适合空间受限的应用场景,如可穿戴设备、TWS耳机、智能家居传感器节点等。同时,其宽工作温度范围支持在户外设备或工业环境中可靠运行。在汽车电子中,虽不直接用于动力总成系统,但可用于车载信息娱乐系统的辅助控制电路或车内照明调光模块。总之,该晶体管凭借其多功能性、高可靠性和紧凑尺寸,成为现代电子设计中常用的通用型PNP三极管之一。

替代型号

[
   "DTC643TE",
   "MMBT3906",
   "BC857B",
   "KSA708",
   "FMMT718"
  ]

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DTC643TKT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换150MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC643TKT146-NDDTC643TKT146TR