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DTC343TKT146 发布时间 时间:2025/7/4 23:48:10 查看 阅读:21

DTC343TKT146 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频功率放大器等领域。该器件采用了先进的封装工艺,具有出色的散热性能和电气特性,能够显著提升系统的效率和功率密度。
  其主要特点是低导通电阻和快速开关速度,从而降低传导损耗和开关损耗。此外,它还具有高击穿电压和优秀的热稳定性,适合在严苛的工作环境下运行。

参数

型号:DTC343TKT146
  类型:GaN 功率晶体管
  最大漏源电压:650V
  持续漏极电流:20A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:90nC
  开关频率:高达 5MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

DTC343TKT146 的主要特性包括:
  1. 高效的 GaN 技术,确保更低的导通电阻和开关损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 超快的开关速度,支持高达 5MHz 的工作频率,使得设计更紧凑的高频电源成为可能。
  3. 具有较高的耐压能力(650V),适用于多种高电压应用场景。
  4. 采用 TO-247-4L 封装,具备良好的散热性能和机械可靠性。
  5. 热稳定性出色,能够在极端温度条件下稳定工作,适应工业和汽车领域的需求。
  6. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的鲁棒性。

应用

DTC343TKT146 广泛应用于以下领域:
  1. 高效 DC-DC 转换器,尤其是在服务器、通信设备和工业自动化中。
  2. 射频功率放大器,用于无线通信基站和其他高频应用。
  3. 开关电源(SMPS),特别适合需要高效率和高功率密度的设计。
  4. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换模块。
  5. 太阳能逆变器,用于提高能量转换效率并减少热量损失。

替代型号

DTC343TKT148, DTC345TKT146, DTC343TKT150

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DTC343TKT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)80mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换200MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC343TKT146-NDDTC343TKT146TR