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DTC144GUAT106 发布时间 时间:2025/12/25 13:09:57 查看 阅读:12

DTC144GUAT106是一款由ROHM(罗姆)公司生产的表面贴装晶体管阵列,集成了两个相同规格的NPN型双极结型晶体管(BJT)。该器件被设计用于需要紧凑封装和高集成度的应用场景,例如便携式电子设备、电源管理电路以及信号处理系统。DTC144GUAT106采用UMT3六引脚小型化封装,具有良好的热稳定性和电气性能,适合自动化贴片生产流程。由于其内部结构对称且参数一致性高,特别适用于差分放大器、推挽输出级或并联驱动负载等场合。
  DTC144GUAT106的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,满足工业级和汽车级应用要求。器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)特性,适用于现代绿色电子产品制造。此外,该型号标称带有“T106”后缀,代表其卷带包装规格,便于SMT高速贴片机使用,提升了大批量生产的效率与可靠性。

参数

类型:双NPN晶体管阵列
  集电极-发射极击穿电压 (VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  直流电流增益 (hFE):120 ~ 700(测试条件IC=1mA, VCE=5V)
  集电极截止电流 (ICEO):500nA(最大值,VCB=50V)
  特征频率 (fT):250MHz
  封装形式:UMT3(SOT-363)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  功率耗散 (Pd):200mW(整体)
  配对匹配性:良好(两颗晶体管在同一芯片上制造)

特性

DTC144GUAT106的最大优势在于其高度集成的双晶体管结构,两个NPN晶体管共享相同的电气特性和热环境,从而在模拟电路中实现优异的匹配性能。这种匹配性对于构建高性能差分对至关重要,能够有效抑制共模噪声、提高增益稳定性,并减少温度漂移带来的影响。每个晶体管均经过优化设计,在低电流工作区域仍能保持较高的直流电流增益(hFE),确保在微弱信号放大时具有良好的线性响应。
  该器件采用了先进的硅外延平面工艺制造,具备较低的饱和压降(VCE(sat)),典型值仅为0.25V(IC=5mA, IB=0.25mA),这有助于降低导通损耗,提升能效表现。同时,其快速开关能力得益于高达250MHz的特征频率(fT),使其不仅可用于直流或低频放大,也可胜任高频开关任务,如数字逻辑缓冲、脉冲信号整形等应用场景。
  UMT3封装尺寸小巧(约2.1mm × 2.0mm × 0.9mm),极大节省了PCB布局空间,尤其适合高密度组装需求。引脚排列清晰合理,支持标准回流焊工艺,具备良好的焊接可靠性和机械强度。此外,器件内部隔离设计避免了交叉干扰,保证两个晶体管独立运行的同时又能协同工作。
  值得一提的是,DTC144GUAT106通过严格的可靠性测试认证,包括高温反向偏置(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)及温度循环试验,确保在严苛环境下长期稳定运行。其宽广的工作温度范围使其可广泛应用于消费类电子、通信模块、传感器接口电路乃至车载控制系统等领域。

应用

DTC144GUAT106常用于需要双通道晶体管配对工作的电路设计中。一个典型应用是作为差分放大器的核心元件,利用其良好的参数一致性来实现高共模抑制比(CMRR),常见于运算放大器输入级或精密检测前端电路。此外,它也广泛用于推挽输出级结构,配合PNP型互补器件构成Class-B或AB类音频驱动电路,提供低失真的信号输出。
  在数字电路中,DTC144GUAT106可用于电平转换、信号缓冲和驱动LED或多路逻辑门负载。由于其支持最高100mA的集电极电流,足以驱动小型继电器、蜂鸣器或其他低功耗执行机构。在电源管理系统中,它可以作为基准电压源中的电流镜组件,或用于过流保护电路中的传感开关。
  该器件还适用于各类便携式设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于背光控制、传感器信号调理或电池充电状态指示等功能模块。在工业控制领域,DTC144GUAT106可用于PLC模块中的光电耦合器驱动、继电器驱动接口或开关电源反馈环路中的误差放大环节。
  此外,由于其小型化封装和高可靠性,也被广泛采用在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、车内照明控制单元或车用信息娱乐系统的信号切换电路中,满足AEC-Q101车规认证相关要求。

替代型号

MMBT2907AWS-7-F
  FMMT493TA
  DTC144WUAT106
  DTC124EUAT106

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DTC144GUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC144GUAT106-NDDTC144GUAT106TR