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DTC143ZET1 发布时间 时间:2025/12/25 13:22:16 查看 阅读:9

DTC143ZET1是一款由东芝(Toshiba)公司生产的NPN型双极性晶体管(BJT),专为小信号开关和放大应用而设计。该器件采用小型表面贴装封装(如SOT-23或类似小型化封装),非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。DTC143ZET1具有较高的直流电流增益(hFE)和快速的开关响应时间,能够在低电压和低电流条件下高效工作。这款晶体管通常用于电源管理、逻辑电路驱动、LED控制、信号切换以及各种消费类电子产品中的低功率应用。其结构基于先进的硅外延基技术,确保了良好的热稳定性和长期可靠性。由于其高集成度和稳定性,DTC143ZET1广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他需要微型化与高效率结合的现代电子系统中。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,适用于无铅焊接工艺,满足当前绿色电子制造的需求。

参数

类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(Pd):200mW
  直流电流增益(hFE):120~700(测试条件IC=1mA, VCE=5V)
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  工作结温范围(Tj):-55°C~+150°C
  封装形式:SOT-23(SC-59)

特性

DTC143ZET1具备优异的电气性能和稳定的温度特性,适合在多种复杂环境下可靠运行。其高电流增益范围使其在小信号放大电路中表现出色,能够有效提升信号的驱动能力,同时降低输入驱动电流需求,从而提高系统的能效。该晶体管的开关速度较快,上升时间和下降时间均处于较低水平,适合高频开关操作,例如在脉宽调制(PWM)控制或数字逻辑接口中作为高速开关元件使用。
  器件采用先进的芯片制造工艺,具有良好的一致性和批次稳定性,确保在批量生产过程中元器件参数波动较小,提升整机良率。其SOT-23小型封装不仅节省PCB空间,还具备较好的散热性能,有助于在紧凑布局中维持正常工作温度。此外,该封装与自动化贴片设备兼容,便于实现高密度贴装和回流焊工艺,适应现代化SMT生产线的要求。
  在环境适应性方面,DTC143ZET1具有较强的抗湿性和耐高温能力,经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和温度循环试验,确保在恶劣工况下仍能保持稳定性能。其低漏电流设计减少了静态功耗,在电池供电设备中尤为重要,有助于延长续航时间。综合来看,DTC143ZET1是一款高性能、高可靠性的通用小信号晶体管,适用于广泛的模拟与数字电路应用场景。

应用

DTC143ZET1广泛应用于各类消费类电子产品中,典型用途包括LED驱动电路、电源开关控制、继电器或负载驱动接口、音频信号放大前级、逻辑电平转换以及微控制器I/O扩展等。在移动设备中,常被用于背光调节模块或传感器信号调理电路;在工业控制系统中,可用于光电耦合器的驱动级或作为隔离电路的一部分。此外,它也适用于各类嵌入式系统中的低功耗开关功能实现,如智能家居设备、可穿戴设备和物联网终端节点。由于其良好的线性特性和稳定性,还可用于简单的模拟放大任务,如麦克风前置放大或小信号缓冲。总之,凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的晶体管解决方案的场合,DTC143ZET1都是一个理想选择。

替代型号

MMBT3904, BC847B, FMMT449, KSC1845Y

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DTC143ZET1参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置Single
  • 晶体管极性NPN
  • 典型输入电阻器4.7 KOhms
  • 典型电阻器比率0.1
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SC-75-3
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
  • 集电极连续电流0.1 A
  • 峰值直流集电极电流100 mA
  • 功率耗散0.2 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量3000